爾必達開發(fā)出新款65nm XS制程1Gb DDR3內(nèi)存芯片

　　爾必達公司近日宣布完成了基于其新65nm XS(extra-shink)制程1Gb DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品的開發(fā)工作，并稱使用這種新制程技術(shù)制作出的內(nèi)存芯片在制作成本方面要比現(xiàn)有的50nm制程內(nèi)存芯片更低。當應(yīng)用在300mm尺寸晶 圓上時，這種65nm XS制程相比其前代65nm S(shrink)制程(08年開發(fā)完成)的產(chǎn)出量能提升25%。新的65nm XS制程除了可以進一步縮小芯片的尺寸之外，還可以顯著減小廠方在制造設(shè)備上的費用投資。

　　這種65nm XS制程技術(shù)的1Gb DDR3內(nèi)存芯片面向的主要是PC/服務(wù)器市場，預(yù)計明年一季度可投入量產(chǎn)。