爾必達(dá)宣布40nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片已投入量產(chǎn)

　　爾必達(dá)公司近日宣布其位于廣島的芯片廠已經(jīng)開始量產(chǎn)40nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品，爾必達(dá)公司今年10月份剛剛完成40nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片技術(shù)的開發(fā)工作，而他們只用了兩個(gè)月的時(shí)間便將這項(xiàng)技術(shù)投入了量產(chǎn)。

　　比較現(xiàn)有的50nm制程技術(shù)，40nm制程能在每片晶圓上多產(chǎn)出44%的DDR3內(nèi)存芯片，而且新制程用于生產(chǎn)1.6Gbps規(guī)格的DDR3內(nèi)存芯片時(shí)的良率可達(dá)100%。芯片工作電壓方面，40nm制程的DDR3芯片也比50nm制程的產(chǎn)品的1.5V降低了2/3左右，達(dá)到1.2V/1.35V的水平,而芯片能耗則可下降50%左右。

　　根據(jù)爾必達(dá)的計(jì)劃，他們將首先在廣島工廠進(jìn)行40nm 2Gb DDR3內(nèi)存芯片的量產(chǎn)，隨后將于明年第二季度在其位于臺(tái)灣的合資廠瑞晶的廠房中開始生產(chǎn)這種芯片，以便提升芯片的產(chǎn)能，減小生產(chǎn)成本。另外，視內(nèi)存市場的發(fā)展?fàn)顩r，爾必達(dá)公司還有可能會(huì)將這種制程技術(shù)轉(zhuǎn)讓給其在臺(tái)灣的合作伙伴如華邦，茂德等，以便進(jìn)一步提升芯片的總體產(chǎn)能。