海力士：2010年DRAM供不應(yīng)求

　　據(jù)華爾街日?qǐng)?bào)(WSJ)報(bào)導(dǎo)，韓國半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)看好2010年存儲(chǔ)器市場(chǎng)表現(xiàn)，將提升資本支出并擴(kuò)張產(chǎn)能。

　　海力士執(zhí)行長(zhǎng)金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示，2009年12月為第1次DRAM合約價(jià)在11月后并未下滑，此外，預(yù)期2010年全球個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)市場(chǎng)需求將增加10%、全球DRAM存儲(chǔ)器芯片將缺貨，半導(dǎo)體市場(chǎng)已走出過去3年的谷底，前景相當(dāng)穩(wěn)定。

　　隨著景氣逐漸回升，海力士計(jì)劃2010年提升資本支出，共投資2.3兆韓元(約20億美元)提升技術(shù)水平，及擴(kuò)張目前的NAND Flash芯片產(chǎn)能。此外，金鐘甲表示，2010年海力士在全球DRAM及NAND Flash芯片市場(chǎng)市占率均可望些微提升，然不愿透露具體數(shù)字。