韓國(guó)開發(fā)變阻存儲(chǔ)器元件原創(chuàng)技術(shù)

    韓國(guó)產(chǎn)業(yè)資源部近日宣布，韓國(guó)光州科學(xué)技術(shù)院教授黃賢尚領(lǐng)導(dǎo)的科研小組成功開發(fā)出了變阻存儲(chǔ)器（ＲｅＲＡＭ－Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ?。遥幔睿洌铮怼。粒悖悖澹螅蟆。停澹恚铮颍┰暮诵脑瓌?chuàng)技術(shù)，這一技術(shù)足以克服新一代存儲(chǔ)器閃存芯片的缺陷。 　　據(jù)介紹，迄今為止，閃存芯片存在的最大缺陷是信息存儲(chǔ)和刷新的時(shí)間長(zhǎng)，存儲(chǔ)容量難以達(dá)到３２千兆位（Ｇｂ）以上。 

　　專家介紹說，黃賢尚科研小組開發(fā)出的“單結(jié)晶鍶鈦氧化物（ＳｒＴｉ０３）”和使這種氧化物保持原有特性的表面處理工藝可以使存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)功能“０（ｏｆｆ）”和“１（ｏｎ）”來回變動(dòng)。而采用“單結(jié)晶鍶鈦氧化物”的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)數(shù)據(jù)保持時(shí)間可達(dá)１０年以上，信息存儲(chǔ)和刷新次數(shù)也可達(dá)千萬次以上。 

　　據(jù)悉，美國(guó)商用機(jī)器公司、日本夏普公司和韓國(guó)三星電子公司等國(guó)際大公司都在開發(fā)新一代存儲(chǔ)器原創(chuàng)技術(shù)，但迄今未能獲得成功。 

　　韓國(guó)產(chǎn)業(yè)資源部稱，新一代存儲(chǔ)器原創(chuàng)技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)新一代大容量存儲(chǔ)器商業(yè)化的進(jìn)程提早兩年至三年。 

　　目前，韓國(guó)科學(xué)家的這一新技術(shù)已獲得韓國(guó)兩項(xiàng)專利，并正在美國(guó)和日本等國(guó)申請(qǐng)專利。