華虹NEC推出業(yè)界領(lǐng)先的0.13微米嵌入式EEPROM解決方案
世界領(lǐng)先的純晶圓代工廠之一,上海華虹NEC電子有限公司(以下簡(jiǎn)稱“華虹NEC”)近日宣布,公司基于0.13微米嵌入式閃存(eFlash)工藝平臺(tái),成功開發(fā)出面向高性能智能卡、信息安全及微處理器等應(yīng)用的嵌入式EEPROM(電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器)解決方案,充分展現(xiàn)了華虹NEC在嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器(eNVM)技術(shù)上的領(lǐng)先地位和創(chuàng)新優(yōu)勢(shì)。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/102813.htm華虹NEC的0.13微米嵌入式EEPROM是在已有的0.13微米嵌入式Flash平臺(tái)上開發(fā)的,實(shí)現(xiàn)了Flash和EEPROM的完美兼容,也是目前代工業(yè)界僅有的可以在同一款產(chǎn)品上同時(shí)提供Flash和EEPROM的代工工藝,給予客戶設(shè)計(jì)時(shí)更加靈活的方案選擇,滿足客戶產(chǎn)品的多方面應(yīng)用需求。目前已有多家客戶的數(shù)款社??ê透甙踩顿M(fèi)卡芯片完成驗(yàn)證進(jìn)入量產(chǎn)。
該嵌入式EEPROM能提供的最大存儲(chǔ)容量可以達(dá)到1M bit,并且具有設(shè)計(jì)功耗更低、面積更小、可靠性更高等優(yōu)點(diǎn),能夠?yàn)榭蛻籼峁└呖煽啃?、低成本的解決方案,從而大幅提升客戶產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。此外,由于具備良好的兼容性,產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員可以在原有的0.13微米NVM工藝基礎(chǔ)上,更快速地進(jìn)行新產(chǎn)品的開發(fā)和導(dǎo)入。
華虹NEC總裁兼首席執(zhí)行官邱慈云表示:“華虹NEC一直致力于技術(shù)創(chuàng)新,并培養(yǎng)造就了一支具有創(chuàng)新精神的研發(fā)團(tuán)隊(duì)。此次0.13微米嵌入式EEPROM的成功推出,標(biāo)志著華虹NEC在嵌入式NVM領(lǐng)域取得突破性成果。嵌入式NVM工藝平臺(tái)是華虹NEC戰(zhàn)略技術(shù)發(fā)展方向之一,通過(guò)多年成功的市場(chǎng)運(yùn)作積累,華虹NEC確立了在嵌入式NVM的領(lǐng)先地位。華虹NEC將繼續(xù)加強(qiáng)該工藝平臺(tái)的發(fā)展,與客戶進(jìn)行深度合作,在嵌入式NVM領(lǐng)域攜手前進(jìn)。”
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