英特爾、美光聯(lián)手推出25納米NAND

　　英特爾公司和美光科技公司今天宣布推出世界上首個(gè)25納米NAND技術(shù)——該技術(shù)能夠增加智能手機(jī)、個(gè)人音樂與媒體播放器(PMP)等流行消費(fèi)電子產(chǎn)品，以及全新高性能固態(tài)硬盤(SSD)的存儲(chǔ)容量，提供更高的成本效益。

　　NAND閃存可用于存儲(chǔ)消費(fèi)電子產(chǎn)品中的數(shù)據(jù)和其它媒體內(nèi)容，即使在電源關(guān)閉時(shí)也能保留信息。NAND制程尺寸的縮小，推動(dòng)了該技術(shù)持續(xù)發(fā)展并不斷出現(xiàn)新的用途。25納米制程不僅是當(dāng)前尺寸最小的NAND技術(shù)，也是全球最精密的半導(dǎo)體技術(shù)——這項(xiàng)技術(shù)成就將使當(dāng)今的消費(fèi)電子產(chǎn)品和計(jì)算設(shè)備能存儲(chǔ)更多音樂、視頻和其它類型數(shù)據(jù)。

在1.67平方厘米的空間里存儲(chǔ)8GB數(shù)據(jù)！英特爾、美 光全球首推25納米NAND閃存，領(lǐng)跑半導(dǎo)體行業(yè)

　　該技術(shù)由英特爾和美光共同組建的NAND閃存合資企業(yè)IM Flash Technologies(簡(jiǎn)稱IMFT)生產(chǎn)，單個(gè)25納米制程N(yùn)AND設(shè)備的存儲(chǔ)容量達(dá)到8GB，為當(dāng)前小巧的消費(fèi)電子產(chǎn)品提供大容量存儲(chǔ)解決方案。其尺寸僅有167平方毫米——小到足以穿過光盤中間的孔，卻能存儲(chǔ)比光盤多10倍的數(shù)據(jù)(一張標(biāo)準(zhǔn)光盤可存儲(chǔ)700MB數(shù)據(jù))。

　　通過對(duì)NAND研發(fā)的專注和投資，英特爾和美光大約每18個(gè)月將NAND的密度提升一倍，從而帶來尺寸更小、成本效益更高、容量更大的產(chǎn)品。IMFT從2006年就開始采用50納米制程技術(shù)生產(chǎn)，緊接著在2008年推出34納米制程技術(shù)。憑借今天公布的25納米制程技術(shù)，英特爾和美光合作推出了業(yè)內(nèi)最小的半導(dǎo)體光刻技術(shù)，從而進(jìn)一步加強(qiáng)了在制程和制造領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

　　英特爾公司副總裁兼NAND解決方案事業(yè)部總經(jīng)理Tom Rampone表示：“通過持續(xù)投資于IMFT，我們不斷推出領(lǐng)先的技術(shù)和制造工藝，開發(fā)出成本效益最高、最可靠的NAND存儲(chǔ)產(chǎn)品，這將加快固態(tài)硬盤解決方案在計(jì)算設(shè)備中的廣泛應(yīng)用。”

　　美光存儲(chǔ)事業(yè)部副總裁Brian Shirley表示：“英特爾和美光憑借最先進(jìn)的制程技術(shù)引領(lǐng)整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展，創(chuàng)造了技術(shù)上的奇跡。我們希望進(jìn)一步挑戰(zhàn)半導(dǎo)體尺寸上的極限。該技術(shù)可通過更高密度的媒體解決方案，為我們的客戶帶來巨大的效益。”

　　采用25納米技術(shù)的8GB設(shè)備現(xiàn)已推出樣品，預(yù)計(jì)將在2010年第二季度批量生產(chǎn)。針對(duì)消費(fèi)電子產(chǎn)品制造商，該設(shè)備提供了密度最大、每個(gè)單元可存儲(chǔ)2比特?cái)?shù)據(jù)的多層式(MLC)芯片，并且支持符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的薄型小尺寸封裝(TSOP)，可將多個(gè)8GB設(shè)備封裝在一起，從而提高存儲(chǔ)容量。與上一代制程相比，全新25納米8GB設(shè)備可將封裝的芯片數(shù)量減少一半，不僅實(shí)現(xiàn)了尺寸更小、密度更高的設(shè)計(jì)，還提高了成本效益。例如，組成一個(gè)256GB的固態(tài)硬盤(SSD)只需32個(gè)25納米NAND芯片(之前則需要64個(gè)這樣的芯片)，一個(gè)32GB的智能手機(jī)只需要4個(gè)這樣的芯片，而16GB的閃存卡只需要2個(gè)。