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AIXTRON推出新款MOCVD設(shè)備AIX G5 HT

作者: 時(shí)間:2010-03-02 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  德國(guó)設(shè)備大廠AIXTRON AG指出,新一代Platform AIX G5 HT系統(tǒng)已達(dá)成生產(chǎn)力目標(biāo)。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/106411.htm

  據(jù)悉,新系統(tǒng)在600 mbar以上的高壓下能以極高的速率完成高質(zhì)量的氮化鎵沉淀,產(chǎn)量超過(guò)前一代系統(tǒng)的1倍,氮化鎵/氮化銦鎵也有優(yōu)異的均一性。在無(wú)反應(yīng)爐烘培或替換任何零件的情況下,上述晶膜的生成在臺(tái)灣晶電廠區(qū)連續(xù)進(jìn)行。目前,此MOCVD反應(yīng)爐正要轉(zhuǎn)換至量產(chǎn)階段。



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