華虹NEC兩項新技術(shù)榮獲2009年度中國半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)獎

　　2010年中國半導(dǎo)體市場年會于2010年3月9日至10日在上海召開。大會公布了由中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會、中國電子材料行業(yè)協(xié)會、中國電子專用設(shè)備工業(yè)協(xié)會、中國電子報等單位共同評選出的 “第四屆(2009年度)中國半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)”獲獎結(jié)果，上海華虹NEC電子有限公司(以下簡稱“華虹NEC”)的“0.13微米SONOS嵌入式存儲器工藝技術(shù)”和“芯片超級同測技術(shù)(SCT)”兩個項目分獲殊榮。

　　華虹NEC的0.13微米SONOS 嵌入式存儲器工藝技術(shù)具有低動態(tài)電流，極低靜態(tài)電流，存儲單元小，容量可配置，讀出速度快等優(yōu)良性能。達到業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的可靠性擦寫壽命和數(shù)據(jù)保持時間。目前該技術(shù)平臺擁有各種容量的嵌入式閃存IP，齊全的模擬IP，高速靜態(tài)隨機存儲器和低功耗設(shè)計庫，高性能的IO單元以及完善的產(chǎn)品和測試方案，可廣泛應(yīng)用于智能卡、MCU/SOC以及USB Key等產(chǎn)品。

　　華虹NEC成功地研發(fā)出世界領(lǐng)先的芯片同測數(shù)最高可達512的“超級同測技術(shù)(SCT，Super Concurrent Testing)”。此技術(shù)的研發(fā)成功，有效地降低了晶圓測試成本，提升了測試效率和產(chǎn)品的競爭力，實現(xiàn)了最高可達較原有技術(shù)平臺的八倍測試效率，并可支持芯片高集成的晶圓測試，成為當今世界領(lǐng)先的測試技術(shù)平臺。此測試平臺現(xiàn)已成功應(yīng)用，作為華虹NEC制造服務(wù)的拓展。此創(chuàng)新技術(shù)為國內(nèi)主要集成電路設(shè)計公司的自主產(chǎn)品(智能卡、USB Key、可編程MCU等)提供了最優(yōu)化的測試方案。

　　華虹NEC總裁兼首席執(zhí)行官邱慈云博士表示，“我們十分榮幸在中國半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)評選中榮獲兩個獎項，這是華虹NEC持續(xù)創(chuàng)新的結(jié)果。華虹NEC一直保持著嵌入式非揮發(fā)性存儲器技術(shù)領(lǐng)域的業(yè)界領(lǐng)先地位，也是中國智能卡與SIM卡芯片的最主要的制造商。本次獲獎的兩個項目正是華虹NEC過去幾年來在嵌入式非揮發(fā)性存儲器領(lǐng)域的最新成果，為下一代智能卡芯片提供了極具競爭力的全套工藝、設(shè)計支持與量產(chǎn)測試解決方案。”