克服放大器電氣過(guò)應(yīng)力問(wèn)題(上)

作者：Thomas Kuehl 德州儀器(TI) 高性能模擬線(xiàn)性產(chǎn)品部高級(jí)應(yīng)用工程師 Bonnie Baker 德州儀器(TI) 高級(jí)應(yīng)用工程師時(shí)間：2010-04-19 來(lái)源：電子產(chǎn)品世界

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　　EOS條件舉例

本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/108100.htm

　　● 例1，利用TINA軟件工具[1]和 OPA364[2]宏模型生成的圖4是使用低功耗OPA364 CMOS運(yùn)放的簡(jiǎn)單跟隨器電路的例子。低頻信號(hào)VG1表示來(lái)自變送器輸出端的信號(hào)。該變送器遠(yuǎn)離放大器，有一條線(xiàn)纜(TL1)將它們連接起來(lái)。該電路中，周?chē)h(huán)境使線(xiàn)纜上出現(xiàn)了瞬態(tài)。

　　VG2是與變送器輸出信號(hào)(VG1)結(jié)合在一起的計(jì)劃外瞬態(tài)信號(hào)?？傂盘?hào)振幅超出了放大器的最大規(guī)定輸入范圍。一個(gè)足夠強(qiáng)的瞬態(tài)信號(hào)將會(huì)觸發(fā)運(yùn)放輸入ESD電路。

　　位于該放大器非反相輸入端前面的電阻限制了產(chǎn)生輸入電流的大小。ESD單元設(shè)計(jì)旨在極短的時(shí)間內(nèi)安全地傳導(dǎo)數(shù)安培電流，該傳導(dǎo)持續(xù)時(shí)間不超過(guò)幾十到數(shù)百納秒。當(dāng)ESD單元在EOS事件期間激活時(shí)，電流傳導(dǎo)的時(shí)間取決于EOS脈沖或過(guò)壓特性。這些相同的ESD單元一般可持續(xù)處理5～10mA的電流，當(dāng)占空比下降時(shí)可持續(xù)處理的電流安培數(shù)會(huì)大大增加。在這些條件下，它們可能非常安全并且不受過(guò)壓的影響。

　　參考文獻(xiàn)

　　[1]SPICE-Based Analog Simulation Program[R/OL]. http://focus.ti.com/docs/toolsw/folders/print/tina-ti.html

　　[2]OPA364[R/OL].http://focus.ti.com/docs/prod/folders/print/opa364.html

　　[3]OPA374[R/OL]. http://focus.ti.com/docs/prod/folders/print/opa374.html

　　[4]OPA227[R/OL]. http://focus.ti.com/docs/prod/folders/print/opa227.html

　　[5]Kuehl T.Using the infinite-gain, MFB filter topology in fully differential active filters[R/OL]. http://focus.ti.com.cn/cn/lit/an/slyt343/slyt343.pdf

　　[6]Baker B. A Baker's Dozen: Real Analog Solutions for Digital Designers[M]. Newnes,2005