英飛凌推出第三代高速600V和1200V IGBT打破開關和效率界限
英飛凌科技股份公司近日推出600 V和1200V高速3(第三代)IGBT產品系列。該系列經過優(yōu)化,適用于高頻和硬開關應用,在降低開關損耗、實現出類拔萃的效率方面,樹立了行業(yè)新標桿,并可滿足開關頻率高達100 kHz的應用需求。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/109089.htm近年來,各種產品對分立式IGBT的需求促使設計者尋求具備優(yōu)化特性的IGBT,比如開關和通態(tài)損耗優(yōu)化,以期充分發(fā)揮產品的性能。英飛凌的全新600 V 和1200 V高速3系列IGBT可適用于電焊機、太陽能逆變器、開關電源和不間斷電源(SMPS 和UPS)等高頻應用,幫助最大限度發(fā)揮系統(tǒng)的性能。
英飛凌公司IGBT功率分立式器件高級營銷經理Roland Stele指出:“最近幾年,工業(yè)驅動、感應加熱、電焊機、UPS和太陽能逆變器等應用對IGBT的需求大幅提高。所有這些產品都需要具有特定優(yōu)化特性的功率開關。英飛凌提供的新一代突破性IGBT針對高頻應用進行優(yōu)化,具備最低的開關損耗并提高了系統(tǒng)效率。”
全新的高速3 IGBT系列經過優(yōu)化,適用于開關頻率高達100 kHz的產品。它相對于上一代器件,總關斷損耗降低35%。關斷損耗的大幅降低主要源自于極短的拖尾電流時間。拖尾電流時間縮短75%,并表現出類似MOSFET的關斷開關行為。
由于Vce(sat)(通態(tài)飽和電壓)對總體損耗也很關鍵,因此需要在開關損耗和導通損耗之間實現最佳平衡。全新的高速3系列不僅具備極低的開關損耗,而且具備較低的導通損耗,這主要得益于采用本身具備較低通態(tài)飽和電壓的、成熟的Trenchstop™ 技術。
對于高速3系列中具備續(xù)流二極管的IGBT而言,其二極管的尺寸經過優(yōu)化,適用于高速開關,同時可維持較高的軟度,使產品具備出色的抗電磁干擾性能。
供貨與定價
符合RoHS標準的全新高速3 IGBT系列,其600V器件的電流范圍為20A至50A,其1200V器件的電流范圍為15A至40A。該系列目前全面投入量產。
樣品數量的價格范圍為1.90歐元(600V 20A)至5.10歐元(1200 40A)。
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