TI 推出一款同步 MOSFET 半橋

　　德州儀器 (TI) 宣布推出一款可在 25 A 電流下實(shí)現(xiàn)超過(guò) 90% 高效率的同步 MOSFET 半橋，其占位面積僅為同類競(jìng)爭(zhēng)功率 MOSFET 器件的 50%。TI 全新 CSD86350Q5D 功率模塊通過(guò)高級(jí)封裝將 2 個(gè)非對(duì)稱 NexFET 功率 MOSFET 進(jìn)行完美整合，可為服務(wù)器、臺(tái)式機(jī)與筆記本電腦、基站、交換機(jī)、路由器以及高電流負(fù)載點(diǎn) (POL) 轉(zhuǎn)換器等低電壓同步降壓半橋應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高性能。

　　NexFET 功率模塊除提高效率與功率密度外，還能夠以高達(dá) 1.5 MHz 的開(kāi)關(guān)頻率生成高達(dá) 40 A 的電流，可顯著降低解決方案尺寸與成本。優(yōu)化的引腳布局與接地引線框架可顯著縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間，改善整體電路性能。此外，NexFET 功率模塊還能夠以低成本方式實(shí)現(xiàn)與 GaN 等其他半導(dǎo)體技術(shù)相當(dāng)?shù)男阅堋?/p>

　　CSD86350Q5D 功率模塊的主要特性與優(yōu)勢(shì)：

　　· 5 毫米 x 6 毫米 SON 外形僅為兩個(gè)采用 5 毫米 x 6 毫米 QFN 封裝的分立式 MOSFET 器件的 50%;

　　· 可在 25 A 的工作電流下實(shí)現(xiàn)超過(guò) 90% 的電源效率，與同類競(jìng)爭(zhēng)器件相比，效率高 2%，功率損耗低 20 %;

　　· 與同類解決方案相比，無(wú)需增加功率損耗便可將頻率提高 2 倍;

　　· 底部采用裸露接地焊盤(pán)的 SON 封裝可簡(jiǎn)化布局。

　　供貨與價(jià)格情況

　　采用 5 毫米 x 6 毫米 SON 封裝的 NexFET 功率模塊器件現(xiàn)已開(kāi)始批量供貨，可通過(guò) TI 及其授權(quán)分銷(xiāo)商進(jìn)行訂購(gòu)。此外，樣片與評(píng)估板也已同步開(kāi)始提供。

　　查閱有關(guān) TI NexFET 功率 MOSFET 技術(shù)的更多詳情：

　　· 如欲了解完整的 NexFET 產(chǎn)品系列，敬請(qǐng)?jiān)L問(wèn)：http://www.ti.com.cn/powerblock-prcn;

　　· 通過(guò) TI E2E™ 社區(qū)的 NexFET 論壇向同行工程師咨詢問(wèn)題，并幫助解決技術(shù)難題：www.ti.com/nexfetforum-pr;

　　· 搜索最新 MOSFET 圖形參數(shù)選擇工具：www.ti.com/mosfet-gps-pr;

　　· 查看針對(duì) NexFET 技術(shù)專門(mén)優(yōu)化的 DC-DC 控制器：TPS40303、TPS40304、TPS40305、TPS51217 以及 TPS51218。

　　商標(biāo)

　　NexFET 與 TI E2E 是德州儀器的商標(biāo)。所有商標(biāo)與注冊(cè)商標(biāo)均是其各自所有者的財(cái)產(chǎn)。