Gartner預(yù)測2010年全球半導(dǎo)體資本支出成長113.2%

　　國際研究暨顧問機(jī)構(gòu) Gartner 表示， 2010年全球半導(dǎo)體資本設(shè)備支出可望逾354億美元，較2009年的166億美元，勁揚(yáng)113.2%.然而， Gartner 也提醒，設(shè)備制造商應(yīng)該對 2011年成長趨緩預(yù)做心理準(zhǔn)備。預(yù)期 2011年全球半導(dǎo)體資本設(shè)備支出微幅增加6.6%.

　　Gartner副總裁Klaus Rinnen表示：技術(shù)升級，將帶動 2010年半導(dǎo)體資本設(shè)備市場的成長。對 40奈米和 45奈米設(shè)備的需求大幅增加，帶動晶圓代工的龐大資本支出。英特爾對3x奈米的投資， NAND 記憶體制造商支出增加，以及升級至下一世代 DDR3 DRAM 記憶體，皆為主要的投資成長動能。

　　Rinnen表示：我們將可見到半導(dǎo)體設(shè)備市場在 2010年底逐漸趨緩，此一產(chǎn)業(yè)反映出總體經(jīng)濟(jì)情勢。我們預(yù)期，由於半導(dǎo)體市場的成長趨緩，資本設(shè)備的成長雖可延續(xù)至 2011年，但成長幅度逐漸縮小。Gartner認(rèn)為，在2009年的顯著衰退後，半導(dǎo)體資本設(shè)備市場各部門在2010年皆將呈現(xiàn)強(qiáng)勁成長(見下表)。

　　2009~2014年全球半導(dǎo)體資本設(shè)備支出預(yù)估(單位：百萬美元)

　　2010年晶圓制造設(shè)備(WFE)部門將成長113.3%, 2011年的增幅則為7.2%.Gartner表示，由於對半導(dǎo)體的需求強(qiáng)勁，加以2008和2009年的投資不足，導(dǎo)致半導(dǎo)體業(yè)對設(shè)備上的需求強(qiáng)勁，整體產(chǎn)能利用率將在2010年第三季達(dá)到高峰。其後，隨著產(chǎn)能提高，設(shè)備市場將緩慢減少，從上一季的高需求量回到正常的水準(zhǔn)。

　　在2009年衰退32%之後，Gartner預(yù)測2010年封裝與組裝設(shè)備部門(PAE)將勁揚(yáng)104.7%,2011年則微增0.7%.在預(yù)測期間內(nèi)，部份設(shè)備部門將有大幅的成長。在先進(jìn)制程上的需求，例如晶圓級封裝、3D制程和直通矽晶穿孔(TSV)的制造，預(yù)期成長速度將較整體市場更為快速;此外，先進(jìn)封裝設(shè)備的檢驗(yàn)和制程控管工具的成長亦將高於整體市場成長率。

　　Gartner預(yù)測，全球的自動測試設(shè)備(ATE)市場將在2010年度成長133%.2009年第一季ATE市場觸及谷底，自此之後季營收逐漸回升，今年首季更是後勢看漲，此一成長態(tài)勢可望延續(xù)至第三季，使整體測試市場帶來自2006年以來的首度的正成長。盡管ATE市場看好，去年表現(xiàn)卻不盡理想，使記憶體測試部門營收跌破2億美元關(guān)卡。

　　Rinnen指出：由於我們才剛走出代價(jià)高昂和嚴(yán)重的衰退，預(yù)估2010年半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)將會出現(xiàn)格外強(qiáng)勁的成長。他進(jìn)一步分析：如此的盛況極有可能在2011年結(jié)束，但不會像前幾波景氣循環(huán)出現(xiàn)劇烈震蕩。然而，倘若產(chǎn)能再繼續(xù)且無限制的擴(kuò)張下去，可能將在2013年提早進(jìn)入比之前更為嚴(yán)重的衰退。記憶體制造商如何快速因應(yīng)市場疲軟和平均銷售價(jià)格(ASPs)下降，將會決定ATE市場是否避免再次陷入近幾年的衰退。