Intel繼續(xù)提高緩存密度 FBC有望取代SRAM

　　由于架構(gòu)方面的需要，Intel處理器通常都配備有大容量緩存，比如Core 2 Quad四核心曾有12MB二級(jí)緩存、雙核心Itanium曾有24MB三級(jí)緩存?，F(xiàn)在，Intel又準(zhǔn)備繼續(xù)提高緩存密度了，而且有意使用新的緩存類 型。2010年度超大規(guī)模集成電路技術(shù)研討會(huì)即將于下月5-7日舉行，Intel將會(huì)通過兩個(gè)主題演講，介紹他們?cè)谔幚砥骶彺婕夹g(shù)上的最新研究成果，特 別是有望取代現(xiàn)有SRAM的“浮體單元”(Floating Body Cell/FBC)。

　　SRAM和eSRAM是目前最常用的兩種嵌入式內(nèi)存，其中前者有六個(gè)晶體管，體積較大，但速度非常快，制造難度也很低，而后者每個(gè)單元只有一個(gè)晶體 管和電容器，體積小了，速度卻也慢了，制造也很困難。FBC就是集這兩種技術(shù)之長(zhǎng)于一身，每單元僅有一個(gè)晶體管，比SRAM輕巧很多，同 時(shí)速度又比eSRAM更快，制造也相對(duì)簡(jiǎn)單。

　　據(jù)了解，Intel已經(jīng)成功制造了22nm新工藝FBC存儲(chǔ)器，而且使用的是非常適合大批量生產(chǎn)的Bulk晶圓，相比此前試驗(yàn)使用 的SOI晶圓在成本上低廉很多。

　　另一份論文中，Intel還描述了如何在一個(gè)FBC存儲(chǔ)器的后柵(back gate)中選擇性地?fù)饺腚s質(zhì)而不影響設(shè)備的其他部分，從元件尺寸看難度相當(dāng)大。

　　除了Intel，伯克利和東芝也都在致力于FBC技術(shù)的研究，但實(shí)現(xiàn)方法和Intel有些不同。