茂德、鈺創(chuàng)攜手進(jìn)軍SDRAM

　　臺系DRAM廠陸續(xù)啟動(dòng)多角化產(chǎn)品線策略，近期茂德悄悄與鈺創(chuàng)進(jìn)行結(jié)盟，將在中科12寸晶圓廠為鈺創(chuàng)代工高容量256Mb DDR2產(chǎn)品，采用72納米制程，目前已進(jìn)入試產(chǎn)，這是茂德跨入消費(fèi)性電子市場重要里程碑，對鈺創(chuàng)而言，亦在SDRAM產(chǎn)能吃緊情況下獲得及時(shí)雨。

　　2008~2009 年DRAM產(chǎn)業(yè)低潮雖然僅淘汰歐系奇夢達(dá)(Qimonda)，但各家DRAM業(yè)者都意識到太過執(zhí)著于標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品，終究是一條不歸路，因此自 2010年開始，陸續(xù)傳出DRAM廠開始布局非標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品領(lǐng)域，包括SDRAM、Mobile RAM、NAND Flash、繪圖卡存儲器(GDDR)等。

　　近期茂德悄悄與利基型存儲器廠鈺創(chuàng)結(jié)盟，計(jì)劃合作搶攻SDRAM市場，雙方目前正在進(jìn)行 256Mb容量DDR2產(chǎn)品生產(chǎn)計(jì)畫，采用茂德自行開發(fā)72納米制程技術(shù)。由于幾年前亦曾傳出鈺創(chuàng)找過茂德合作，但當(dāng)時(shí)未能成局，這次雙方首次攜手合作，對彼此都意義重大。

　　事實(shí)上，由于2008年全球金融海嘯肆虐，很多12 寸晶圓廠的新廠建置計(jì)畫都耽擱，一直到2010年整整3年期間，DRAM產(chǎn)業(yè)都沒有新的12寸晶圓廠出現(xiàn)，導(dǎo)致2010年終端需求復(fù)蘇后，DRAM、 SDRAM、Mobile RAM、NAND Flash、NOR Flash、GDDR等產(chǎn)能互相排擠情況。2010年多家SDRAM設(shè)計(jì)公司都苦等不到產(chǎn)能，DRAM廠亦不想將全部產(chǎn)能都重押在標(biāo)準(zhǔn)型DRAM，因此，鈺創(chuàng)與茂德雙方一拍即合，展開攜手結(jié)盟之路。

　　以現(xiàn)有DRAM廠布局來看，產(chǎn)品線最完整且實(shí)力最強(qiáng)的是三星電子(Samsung Electronics)，除現(xiàn)有DRAM、SDRAM、Mobile RAM、NAND Flash、NOR Flash、GDDR產(chǎn)品線，還跨足晶圓代工和太陽能產(chǎn)業(yè)，日前宣布18兆韓元資本支出計(jì)畫，充分展現(xiàn)成為全球科技產(chǎn)業(yè)巨擘雄心。

　　爾必達(dá) (Elpida)2010年亦進(jìn)行大轉(zhuǎn)型，將大部分標(biāo)準(zhǔn)型DRAM生產(chǎn)都釋放給臺DRAM廠，包括力晶、瑞晶和茂德等，自己在日本廣島廠方面，產(chǎn)能都被 Mobile RAM產(chǎn)品擠爆，未來爾必達(dá)會大幅加碼消費(fèi)性電子相關(guān)產(chǎn)品，至于PC相關(guān)產(chǎn)品線多數(shù)會放手給臺廠生產(chǎn)。

　　美光 (Micron)方面，未來標(biāo)準(zhǔn)型DRAM生產(chǎn)重心都會交由華亞科，美光會放相當(dāng)多心力在NAND Flash產(chǎn)品，因?yàn)槊拦庾詮暮陀⑻貭?Intel)合作后，已連續(xù)在34和25納米技術(shù)進(jìn)度領(lǐng)先三星，市占率持續(xù)增加，未來NAND Flash布局會更積極。再者，美光2010年也購并恒憶(Numonyx)，正式進(jìn)入NOR Flash領(lǐng)域，未來美光產(chǎn)品線多角化布局會越來越明顯。

　　在臺廠方面，茂德除積極布局SDRAM領(lǐng)域，與南亞科都不約而同決定搶攻Mobile RAM市場。其中，茂德采用爾必達(dá)63納米制程，從128Mb產(chǎn)品切入，規(guī)劃2011年第2季量產(chǎn)，未來茂德將專攻低階手機(jī)市場，爾必達(dá)則專心經(jīng)營品牌市場。

　　南亞科亦期望未來能大幅降低PC相關(guān)產(chǎn)品比重，目標(biāo)是PC和非PC產(chǎn)品比重各半，在Mobile RAM產(chǎn)品在線，南亞科將會從Low-Power DDR/DDR2市場切入，預(yù)計(jì)2010年第3季進(jìn)入試產(chǎn)。