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Maxim推出雙路、單芯片可變電壓衰減器

作者: 時(shí)間:2010-07-13 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  推出雙路、單芯片可變電壓衰減器() ,工作頻率范圍為250MHz至4000MHz。該款設(shè)計(jì)用作高性能無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施中的通用模塊,在工作頻率和衰減設(shè)置范圍內(nèi)提供44dB線性控制動(dòng)態(tài)范圍和業(yè)內(nèi)最佳的S21平坦度。集優(yōu)異的平坦度指標(biāo)與線性衰減控制功能于一體,可理想用于蜂窩基站、微波點(diǎn)對(duì)點(diǎn)系統(tǒng)和SatCom設(shè)備等寬帶基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/110834.htm

  在單片IC中集成了兩路業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的,每路衰減器均采用專有的單芯片SiGe BiCMOS工藝設(shè)計(jì),受專利保護(hù)的控制電路可提供22dB衰減范圍,線性控制斜率達(dá)10dB/V。兩路衰減器共用一個(gè)共模模擬控制電路,可以級(jí)聯(lián)產(chǎn)生44dB的總動(dòng)態(tài)范圍,獲得20dB/V的線性控制斜率。較寬的線性控制范圍無(wú)需復(fù)雜的線性化電路及相關(guān)算法,可有效降低方案成本和復(fù)雜度。

  目前競(jìng)爭(zhēng)方案的RF VVA (如PIN二極管和基于MESFET的衰減器)大都采用非線性控制,這增大了自動(dòng)增益控制(AGC)和增益調(diào)節(jié)算法的復(fù)雜度。多數(shù)競(jìng)爭(zhēng)方案需采用外部線性化電路修正控制斜率,但這會(huì)增加VVA設(shè)計(jì)的整體成本、復(fù)雜度和可重復(fù)性。此外,這些衰減器的競(jìng)爭(zhēng)方案在其整個(gè)調(diào)節(jié)范圍內(nèi),衰減隨頻率的變化而變化,具有較差的平坦度。而且,典型的VVA “頻率牽引”會(huì)隨VVA衰減設(shè)置的變化而變化,無(wú)法通過(guò)簡(jiǎn)單的固定斜率均衡架構(gòu)進(jìn)行補(bǔ)償。VVA衰減特性的不穩(wěn)定,將導(dǎo)致系統(tǒng)誤差向量幅度(EVM)和鄰道泄漏抑制(ACLR)的劣化。

  MAX19790衰減器在較寬的工作頻率和衰減設(shè)置范圍內(nèi)具有優(yōu)異的S21平坦度性能,避免了上述指標(biāo)劣化問(wèn)題。工作在950MHz至2150MHz (SatCom應(yīng)用的典型頻帶)范圍內(nèi)的任意125MHz連續(xù)頻帶時(shí),MAX19790在30dB至全衰減范圍內(nèi)的平坦度典型值和最大值(峰峰值)分別僅為0.13dB和0.89dB。

  對(duì)于要求更高S21平坦度的系統(tǒng),只需增加一個(gè)簡(jiǎn)單的均衡器即可改善電路性能。圖1所示為消除VVA最小衰減影響(歸一化)后,在最簡(jiǎn)均衡修正條件下的S21響應(yīng)曲線。在大多數(shù)常見(jiàn)通信頻帶中(每個(gè)頻帶均覆蓋125MHz的連續(xù)頻點(diǎn)),MAX19790的S21響應(yīng)曲線在30dB衰減控制范圍內(nèi)保持水平。MAX19790采用緊湊的(6mm x 6mm)、36引腳TQFN無(wú)鉛封裝。



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