爾必達赴臺設(shè)NAND Flash研發(fā)中心

　　據(jù)了解，日商爾必達已決定來臺設(shè)立研發(fā)中心，且選定投入高階技術(shù)NAND Flash領(lǐng)域。爾必達來臺投資研發(fā)中心金額約在50、60億新臺幣，未來將與力晶等日系半導(dǎo)體業(yè)者進一步合作。

　　據(jù)悉，爾必達與臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)合作雖然破局，但爾必達與臺灣業(yè)者聯(lián)合抗韓的意圖依舊存在，政府單位與爾必達互動密切，爾必達已于日前向經(jīng)濟部遞出在臺設(shè)立研發(fā)中心的初步計劃書，經(jīng)濟部正進行審查中。

　　官員透露，爾必達來臺設(shè)立研發(fā)中心的計劃相當(dāng)成熟，已進入實質(zhì)合作內(nèi)容洽談中，研發(fā)中心切入的產(chǎn)品并非一般的動態(tài)存儲器(DRAM)，而是切入高階的NAND Flash產(chǎn)品的研發(fā)。

　　NAND Flash技術(shù)領(lǐng)先DRAM一個世代，目前全球前五大制造廠被三星、東芝、美光、海力士、英特爾囊括全球96.8%市占率，臺灣廠商在這一塊缺席，原本在NAND Flash技術(shù)上相對薄弱的爾必達，在買下飛索(Spansion)NAND技術(shù)資產(chǎn)后，規(guī)劃在明年投入NAND Flash量產(chǎn)。