中國半導體產(chǎn)業(yè)有望在合作中實現(xiàn)“跨越趕超”

　　“中國半導體產(chǎn)業(yè)有著良好的基礎，如果要趕超世界先進水平，必須要找準方向、加強合作。”現(xiàn)任美國國家工程院院士馬佐平26日在廣州接受新華社記者采訪時說。

　　出生于甘肅蘭州的馬佐平現(xiàn)任美國耶魯大學教授、電機系主任，當天在廣州出席兩年一度的世界華人論壇。作為一名在金屬、氧化物、半導體科學領域做出重大貢獻的世界知名專家，他對中國的半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展表示高度關注并充滿期盼。

　　馬佐平說：“事實上，參加這次論壇的目的之一就是探討在廣東設廠生產(chǎn)相變存儲器的可能性，而這在世界范圍內(nèi)都屬于一個全新的課題。”

　　相變存儲器是當今全球半導體產(chǎn)業(yè)中炙手可熱的領域之一，作為一種新型的存儲設備，這一產(chǎn)品有望取代目前普遍使用的“閃存”.馬佐平說，現(xiàn)在全球有望實現(xiàn)量產(chǎn)相變存儲器的企業(yè)寥寥可數(shù)，而市場空間又格外巨大，“中國企業(yè)躋身其間正當其時。”

　　在馬佐平看來，對于基礎良好、希望趕超世界先進水平的中國半導體產(chǎn)業(yè)而言，相變存儲器是一個“很好的契機”.他說：“中國不能花費大量資源去做別人做了幾十年的東西，這樣是拼不過的，別人是數(shù)千人的精英團隊做了幾十年，很難趕得上。中國企業(yè)應當選擇更高的起點，實現(xiàn)跨越式趕超。”