Vishay 推出業(yè)界最小的N溝道芯片級(jí)功率MOSFET
英飛凌汽車(chē)電子生態(tài)圈
掃碼關(guān)注
獲取最新最全汽車(chē)電子
技術(shù)方案與實(shí)用技巧
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)界最小和最薄的N溝道芯片級(jí)功率MOSFET --- Si8800EDB，該器件也是面積低于1mm2的首款產(chǎn)品。20V MICRO FOOT® Si8800EDB具有0.8mmx0.8mm的超小外形和0.357mm的厚度，可減少在便攜式電子產(chǎn)品中占用的空間。
本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/111337.htm
隨著便攜式產(chǎn)品變得愈加小巧，器件的尺寸成為選擇器件的重要因素，因?yàn)榘存I和電池占用了大部分空間，使PCB的面積受到極大限制。Si8800EDB具有超小的外形和厚度，比同樣采用芯片級(jí)封裝的尺寸第二小的N溝道器件小36%，薄11%，能夠?qū)崿F(xiàn)更加小巧且功能更多的終端產(chǎn)品。
由于采用無(wú)封裝技術(shù)且增大了管芯面積，Si8800EDB的芯片級(jí)封裝提供了單位面積上極低的導(dǎo)通電阻。MOSFET在4.5V、2.5V、1.8V和1.5V下的最大導(dǎo)通電阻分別為80mΩ、90mΩ、105mΩ和150mΩ。
新器件的典型應(yīng)用包括負(fù)載開(kāi)關(guān)和手機(jī)、PDA、數(shù)碼相機(jī)、MP3播放器和智能手機(jī)等便攜式設(shè)備中的小信號(hào)切換。Si8800EDB的低導(dǎo)通電阻可延長(zhǎng)這些產(chǎn)品中兩次充電之間的電池壽命。
Si8800EDB的典型ESD保護(hù)為1500V，符合RoHS指令2002/95/EC，符合IEC 61249-2-21定義的無(wú)鹵素規(guī)范。
新款功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，將在2010年第二季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十六周。
評(píng)論