測試LTE：您需要知道什么

　　摘要：首批LTE網(wǎng)絡(luò)已投入使用，大規(guī)模提供移動寬帶服務(wù)方面成為主題。并非所有技術(shù)問題都已解決，用戶獲得下一代蜂窩技術(shù)的全部好處前仍然有問題需要克服，LTE服務(wù)的一些更廣泛方面仍然有待決定。本文從測試工程師所面臨挑戰(zhàn)的意義上考察了這方面的一些問題。

　　關(guān)鍵詞：LTE;測試;Aeroflex;協(xié)議測試

　　在考察有關(guān)用戶終端(UE)設(shè)計的技術(shù)問題之前，采取更廣闊的視野可以揭示其他一些潛在陷阱。

　　在本文撰寫時，LTE終端的正式認(rèn)證尚未開始。主要認(rèn)證機(jī)構(gòu)(GCF [1]，PTCRB [2])計劃在2010年12月推出用于協(xié)議、RF及無線資源管理的一致性測試方案。但由于一些市場已開始銷售LTE終端，因此產(chǎn)生了下面的問題：這些終端將來是否能夠通過這些一致性測試?

　　對于支持高數(shù)據(jù)率(下行鏈路100Mb/s，上行鏈路50Mb/s)的LTE Category 3終端，回程容量(backhaul capacity )是否足夠?隨著LTE用戶數(shù)量的增加，小區(qū)中所有用戶在無線網(wǎng)絡(luò)上的帶寬共享將成為一個重要因素，如果小區(qū)中用戶數(shù)量太多，那么性能就可能受到影響。另外，隨著活動用戶數(shù)量的增加，小區(qū)邊緣性能將受到更高信噪比(SNR)的影響。

　　對于潛在的全球移動數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)，還要滿足數(shù)據(jù)用戶對全球漫游的期望。盡管這在技術(shù)上是可行的，但漫游數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)收費(fèi)過高的問題還需要加以解決。另一方面，對網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營商來說，統(tǒng)一費(fèi)率數(shù)據(jù)方案已成為一個問題，因?yàn)樘峁┳儎拥?，但幾乎肯定是不斷增加的?shù)據(jù)量而獲得的卻是固定的收入。

　　由于LTE是CDMA2000網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營商(如Verizon Wireless)的下一代技術(shù)選擇，所以與3GPP2 CDMA2000 高費(fèi)率分組數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)的互通是一個明確要求。在 LTE無線網(wǎng)絡(luò)接口處合并3GPP和3GPP2網(wǎng)絡(luò)拓?fù)涫且粋€有意思的進(jìn)展，這需要進(jìn)行周密的測試，以確保其運(yùn)行達(dá)到預(yù)期目標(biāo)。

　　對網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營商來說，維持同時使用IP網(wǎng)絡(luò)和傳統(tǒng)電路交換網(wǎng)絡(luò)的語音業(yè)務(wù)將會是一大挑戰(zhàn)。主流網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營商在2010年移動通信世界大會(Mobile World Congress 2010)上宣布的有關(guān)VoLTE(語音LTE)標(biāo)準(zhǔn)化的協(xié)議將在很大程度上解決這個問題。但是，使用3GPP的IMS(IP多媒體子系統(tǒng))技術(shù)仍然需要進(jìn)行大規(guī)模部署。

　　迎接測試需求挑戰(zhàn)

　　要滿足LTE終端設(shè)備的嚴(yán)格要求，關(guān)鍵在于將設(shè)計分成子系統(tǒng)，并制定一個允許在測試完整終端之前對每個設(shè)計部分進(jìn)行徹底檢驗(yàn)的測試計劃。如果不采用這種模塊化方案，則問題的診斷可能拖到項(xiàng)目的最后階段，以致難以管理最終發(fā)布階段，包括現(xiàn)場試驗(yàn)及一致性測試。

　　無論終端設(shè)計是從頭開始、基于較早前的設(shè)計還是使用第三方集成組件，都需要進(jìn)行多項(xiàng)關(guān)鍵性能測量。其中一些測量(如最大輸出功率、功率控制和接收機(jī)靈敏度)是早前技術(shù)已經(jīng)熟悉的，但由于所用的傳輸方式(下行鏈路中為OFDMA，上行鏈路中為SC-FDMA)不同，所以需要新的測量設(shè)備來支持這些測試。

　　其他測量是LTE特有的。例如，對于其OFDMA傳輸方式，子載波誤差向量幅度(EVM)變成調(diào)制器性能的一項(xiàng)重要測試。隨著700MHz模擬TV頻譜的可供使用，LTE將以低于GSM或WCDMA的頻率來部署，從而得到大很多的帶寬：20 MHz/700 MHz = 2.8%，相比之下，對于典型的WCDMA終端，5 MHz/2100 MHz = 0.24%。這會對一些調(diào)制器架構(gòu)帶來挑戰(zhàn)，因?yàn)樗鼤?dǎo)致小區(qū)邊緣處的EVM值較高，所以在設(shè)計階段要特別注意這一點(diǎn)。