夏普聯(lián)袂爾必達開發(fā)下一代ReRAM閃存芯片

　　日經(jīng)新聞報道，夏普正與爾必達聯(lián)手開發(fā)下一代ReRAM可變電阻式閃存芯片，預計在2013年實現(xiàn)量產(chǎn)。

　　早在2007年，富士通就宣布開發(fā)出了這種可變電阻式閃存芯片，它在降低功耗的同時寫入速度達到目前手機所用NAND閃存芯片的10000倍。日經(jīng)新聞稱，采用ReRAM芯片的設備可以在幾秒鐘的時間內下載一部高清電影，待機模式下功耗幾乎為零。

　　除了夏普和爾必達外，日本產(chǎn)業(yè)技術綜合研究所、東京大學以及其它芯片設備制造商也將加入到研發(fā)工作當中。該芯片最早將在2013年實現(xiàn)量產(chǎn)，爾必達將可能負責這一生產(chǎn)工作。

　　此外其它競爭對手同樣也在積極研發(fā)新型存儲芯片，東芝就在開發(fā)一種層式結構(layered structure)閃存芯片;三星除了研發(fā)ReRAM外，相變式存儲芯片和磁性存儲芯片的開發(fā)工作也在進行中。