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臺灣加入NAND Flash戰(zhàn)局

—— 突破技術(shù)藩籬
作者: 時間:2010-12-16 來源:Digitimes 收藏

  臺灣長久缺席的快閃存儲器產(chǎn)業(yè)終于出現(xiàn)曙光,由于既有 Flash技術(shù)在20納米制程以下面臨天險,全球大廠紛競逐下世代技術(shù),近期國家納米元件實(shí)驗(yàn)室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技術(shù)架構(gòu)下,研發(fā)出全球最小的電阻式存儲器,計劃在2011年下半正式成立“16-8納米元件聯(lián)盟”,將廣邀存儲器廠及晶圓代工廠加入,首波會先洽談臺系存儲器廠,目標(biāo)5~10年內(nèi)將此技術(shù)導(dǎo)入量產(chǎn),讓臺灣正式加入 Flash產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)局。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/115518.htm

   Flash技術(shù)在20納米制程以前,臺灣存儲器業(yè)者完全沒有參與權(quán),因?yàn)橄嚓P(guān)技術(shù)和專利都被國際大廠所掌控,但在20納米制程以下,傳統(tǒng)浮動閘(Floating Gate)技術(shù)出現(xiàn)天險,面臨儲存電子數(shù)越來越少問題,NAND Flash技術(shù)出現(xiàn)大變革,各種下世代存儲器陸續(xù)問世。目前新世代存儲器技術(shù)架構(gòu)包括PRAM(Phase Change RAM)、MRAM(Magnetic RAM)、R-RAM等,暫無法確定誰能勝出,存儲器龍頭廠三星電子(Samsung Electronics)由于資源龐大,幾乎各種技術(shù)都投入研發(fā)。

  這次NDL完成全球最小的存儲器,系采用R-RAM技術(shù)為架構(gòu),已于12月在美國舊金山所舉行國際電子元件會議(IEDM)正式發(fā)表,NDL在實(shí)驗(yàn)室成立1條產(chǎn)線做研發(fā),未來希望能再建1條產(chǎn)線,最終目標(biāo)是希望將這個產(chǎn)品導(dǎo)入12寸或18寸晶圓廠,作為量產(chǎn)產(chǎn)品。另外,目前布局R-RAM技術(shù)業(yè)者還包括英特爾(Intel)、新帝(SanDisk)、三星、IBM等。

  NDL計劃成立“16-8納米元件聯(lián)盟”,作為NAND Flash技術(shù)平臺,并成為臺廠未來發(fā)展新世代NAND Flash技術(shù)的專利后盾,此聯(lián)盟預(yù)計2011年下半正式成立,將廣邀存儲器廠和晶圓代工廠加入,首波邀請對象為存儲器業(yè)者,包括旺宏、華邦、力晶、瑞晶、南亞科、華亞科、茂德等。

  由于考量到聯(lián)盟組織最后易淪為口號,且大部分業(yè)者不愿將最頂尖技術(shù)貢獻(xiàn)到臺面上,因此,未來此聯(lián)盟將設(shè)計多種模式,鼓勵業(yè)者及各方研究菁英加入,象是繳交權(quán)利金換取專利使用權(quán)、技術(shù)合作等,未來目標(biāo)是仿效IBM華生研究中心 (Thomas J. Watson Research Center),專門培育半導(dǎo)體人才。

  NDL強(qiáng)調(diào),學(xué)界主要專注于研發(fā)和布局累積專利數(shù)量,未來要導(dǎo)入量產(chǎn)仍是要靠業(yè)界,目前9納米產(chǎn)品雛形已具備,但要導(dǎo)入8寸或12寸晶圓廠才是挑戰(zhàn)開始,目標(biāo)是希望5~10年內(nèi)可進(jìn)入量產(chǎn),讓臺灣正式加入NAND Flash產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)局。



關(guān)鍵詞: NAND 9納米

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