聯(lián)發(fā)科技展訊聯(lián)芯角力TD芯片

　　基于此，展訊決定直接研發(fā)40納米工藝TD芯片。“盡管風(fēng)險巨大，但時不我待。”一位展訊內(nèi)部人士如此形容TD芯片市場競爭的急迫狀態(tài)。

　　事實上，各大TD芯片供應(yīng)商也在暗自角力。據(jù)了解，聯(lián)芯科技、T3G和聯(lián)發(fā)科，目前也有更高工藝制程的TD芯片研發(fā)計劃。“按照正常的研發(fā)周期測算，一般要在一年半到兩年時間。”李力游認(rèn)為，在TD芯片性價比上，“展訊將有至少領(lǐng)先一年的時間差。”

　　據(jù)悉，目前包括高通、博通在內(nèi)，全球主流的3G芯片商用產(chǎn)品，一般集中在65納米工藝，少數(shù)產(chǎn)品達(dá)到45納米工藝。

　　最新消息顯示，包括青島海信、華為終端公司在內(nèi)的多家手機(jī)廠商，已經(jīng)開始采用展訊此款芯片，并通過了工信部的入網(wǎng)檢測和中國移動的入庫檢測。“其最終的性能是否達(dá)到大規(guī)模商用化的要求，還有待市場檢驗。”有業(yè)內(nèi)人士分析。