三星權(quán)五鉉:DRAM可能第一季觸底回升
三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體事業(yè)部社長權(quán)五鉉,出席2011年IT產(chǎn)業(yè)新年見面會時曾表示,DRAM價格可能提早于第1季觸底并回升,第1季內(nèi)價格將有小幅下跌,價格隨即出現(xiàn)反彈,但不確定會發(fā)生在2月或3月。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/116512.htmDRAM價格從2010年第3季開始價格持續(xù)呈現(xiàn)跌幅,而2010年12月更是跌破1美元關(guān)卡,進(jìn)入2011年后始見緩和。韓國業(yè)界也有推測指出,DRAM市場有可能更快趨于穩(wěn)定。業(yè)者認(rèn)為權(quán)五鉉的發(fā)言是暗示DRAM價格已接近谷底。
此外,權(quán)五鉉也表示,快閃存儲器(NAND Flash)于2011年內(nèi)將會維持穩(wěn)定的上升勢。平板計算機(Tablet)、智能型手機(Smartphone)需求穩(wěn)定,固態(tài)硬盤(SSD)的需求也正逐漸增加,因此價格能維持穩(wěn)定,甚至可能因需求增加而出現(xiàn)價格暴漲情況。
權(quán)五鉉對于2011年三星對半導(dǎo)體的投資案表示,先前已宣布將投資約10.3兆韓元(約92.08億美元)發(fā)展半導(dǎo)體事業(yè),系統(tǒng)LSI領(lǐng)域約4兆韓元(約3.58億美元),其余則將投資存儲器事業(yè)。而10.3兆韓元投資額將視每季市場情況決定是否要進(jìn)行追加投資。而權(quán)五鉉對16產(chǎn)線則未透露任何消息。
近來韓國政府將系統(tǒng)單芯片列入重點培育事業(yè),權(quán)五鉉對此表示,美國奧斯汀廠系統(tǒng)LSI產(chǎn)線將會如同先前公布的內(nèi)容一樣,2010年及2011年合計投資4.5兆韓元(約40.23億美元)。
此外,美國奧斯汀廠產(chǎn)線將于2011年下半投入量產(chǎn)。32納米制程也將于2011年下半推出實驗性產(chǎn)品,并自2012年起生產(chǎn)多數(shù)的系統(tǒng)單芯片。對于晶圓代工方面則表示,2010年首度擠進(jìn)10大企業(yè)中,2011年機會更努力,成為領(lǐng)先企業(yè)。
海力士(Hynix)社長權(quán)五哲則認(rèn)為目前DRAM價格已至谷底,并預(yù)測第1季便可能出現(xiàn)反彈。對于系統(tǒng)單芯片方面,權(quán)五哲則表示,所有事情都有先后順序,將會先把存儲器領(lǐng)域做好,才發(fā)展其它事業(yè)。
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