DRAM合約價醞釀反彈
DRAM合約價在2010年第4季跌幅高達50%,隨著現(xiàn)貨價在農(nóng)歷年前率先反彈,2011年2月DRAM合約價亦走向止跌,存儲器模塊廠表示,近期甫出爐1Gb、2Gb、4Gb產(chǎn)品合約價都呈現(xiàn)止跌跡象,由于目前現(xiàn)貨價比合約價至少高出20%,使得DRAM廠在合約價談判上輕松許多;南亞科則預計,2月 DRAM合約價漲幅目標是至少5%。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/116890.htm存儲器模塊廠指出,這一波DRAM報價止跌系由現(xiàn)貨價當領(lǐng)頭羊,預期3月PC廠還會有一波備貨潮,DRAM現(xiàn)貨價至少還有10~20%上漲空間,2月合約價亦成功被現(xiàn)貨價帶動止跌。目前2GB DDR3模塊合約價約16美元,未來有機會重返20美元大關(guān),若PC廠將內(nèi)建存儲器容量從2GB提升至4GB,價格約40美元,不超過1臺PC成本10% 上限,客戶升級存儲器意愿將大增。
存儲器業(yè)者表示,這是繼2010年第4季DRAM合約價大跌50%之后,合約市場首度飛來春燕,亦是DRAM產(chǎn)業(yè)落底訊號,以目前PC客戶庫存來看,雖稱不上是偏低,但已趨于健康水位,預計再過1~2個月庫存會逐漸偏低,加上每年3月都是PC廠開始備庫存季節(jié),以及英特爾(Intel)Sandy Bridge瑕疵芯片組在第1季末會全數(shù)更換重新出貨,亦將刺激PC廠積極備貨,3月底前補貨潮可望延續(xù)這一波價格反彈走勢。
存儲器模塊廠認為,DRAM價格3月底前還有10~20%反彈空間,但不希望一舉漲太高,1Gb DDR3芯片將反彈至1.3~1.4美元,2Gb DDR3則反彈至2.5~2.6美元水平,都算是合理價位,在此價格區(qū)間,DRAM廠可以開始賺錢,模塊廠擁有合理庫存利益,下游客戶亦不至于抗拒,避免重蹈2010年DDR3一下子漲過頭,導致PC廠馬上又開始大砍存儲器容量覆轍。
在供給端方面,存儲器業(yè)者表示,2011年最特殊現(xiàn)象就是各種存儲器如Mobile RAM、NAND Flash、SDRAM互搶產(chǎn)能,間接排擠標準型DRAM供給。其中,智能型手機和平板計算機需求興起,刺激Mobile RAM和NAND Flash需求,Google與Facebook等云端服務服務器對于存儲器需求高達20~30GB,而3D TV亦帶動SDRAM需求升溫,游戲機熱潮則帶動繪圖卡存儲器(GDDR)需求增加。
由于全球存儲器產(chǎn)能不會再明顯往標準型DRAM靠攏,既有產(chǎn)能開始有很多產(chǎn)品選擇,這是過去存儲器產(chǎn)業(yè)相當少見情況,未來標準型DRAM是否能跳脫供過于求泥淖,仍要觀察各家廠商40及30納米制程產(chǎn)能放量之后的整體供需結(jié)構(gòu)。
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