利用低門限電壓延長電池壽命
—— Vlsing Low Gate-to-Source Voltage to Extending Bettery lifetime
作者：Yalcin Bulut Vishay
時間：2011-02-21
來源：電子產(chǎn)品世界
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技術(shù)方案與實用技巧
以手機為例，降低模擬和數(shù)字基帶芯片等手持設(shè)備中主要器件的工作電壓是降低功耗的辦法之一。在不需要DSP或微處理器發(fā)揮最大性能的時候，可以降低內(nèi)核供電電壓，并且降低時鐘頻率。越來越多的新一代低功耗應(yīng)用采用了此項技術(shù)，以盡可能地節(jié)約系統(tǒng)能量。公式PC~(VC)2.F描述了一個DSP內(nèi)核的功耗，這里，PC是內(nèi)核的功耗，VC 是內(nèi)核電壓，F(xiàn)是內(nèi)核時鐘頻率。降低內(nèi)部時鐘頻率可以減少功耗，降低內(nèi)核供電電壓可以把功耗降得更多。
本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/117036.htm先進的硅片和封裝技術(shù)能起到什么作用
有很多音箱新興高耗電便攜式設(shè)備性能的設(shè)計因素，本文將主要以在低電壓應(yīng)用中最常見的功率開關(guān)功率MOSFET為例，說明最新的硅技術(shù)突破在增加電源需求上的影響。為說明這些技術(shù)進步的影響，有必要了解功率MOSFET的一些關(guān)鍵參數(shù)。
通道的導(dǎo)通電阻(rDS(on))是由通道的橫向和縱向電場控制的。通道電阻主要由柵源電壓差決定的。當(dāng)VGS超過門限電壓(VGS(th))，F(xiàn)ET開始導(dǎo)通。許多操作要求開關(guān)接地點。功率MOSFET通道的電阻與由公式R= L/A確定的物理尺寸有關(guān)，這里ρ是電阻率，L是溝道長度，A是W x T，即溝道的橫截面積。
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