Vishay發(fā)布40V和60V N溝道TrenchFET功率MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封裝，具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，以及最低的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即優(yōu)值系數(shù)。

　　40 V SiR640DP在10V和4.5V下的導(dǎo)通電阻為1.7m?和2.2m?，在10V和4.5V下的FOM分別為128m?-nC和76m?-nC。器件在4.5V下的導(dǎo)通電阻比最接近的競爭MOSFET低4%，而4.5V下的FOM則低15.5%。

　　60V SiR662DP在10V和4.5V下的導(dǎo)通電阻分別為2.7m?和3.5m?，在10V和4.5V下的FOM分別為172.8m?-nC和105m?-nC。器件在10V和4.5V下的導(dǎo)通電阻分別比最接近的同檔次MOSFET分別低3.5%和27%，在10V和4.5V下的FOM分別低23%和57%。在器件的整個(gè)工作范圍內(nèi)，低導(dǎo)通電阻和低FOM將能夠減少開關(guān)損耗。

　　兩款器件在制造過程中采用了一種新的硅技術(shù)，該技術(shù)使用了優(yōu)化的溝槽密度和特殊的柵極結(jié)構(gòu)。對于設(shè)計(jì)者來說，更低的導(dǎo)通電阻意味著更低的傳導(dǎo)損耗，從而降低功耗，尤其是在重載的情況下。器件的低FOM能夠降低高頻和開關(guān)應(yīng)用中的開關(guān)損耗，特別是在輕負(fù)載和待機(jī)模式下。器件的高頻率使設(shè)計(jì)者能夠增加其系統(tǒng)的功率密度，或是同時(shí)實(shí)現(xiàn)更低的功率損耗和更綠色的應(yīng)用方案。

　　SiR662DP和SiR640DP適用于DC/DC和AC/DC轉(zhuǎn)換器中的次級側(cè)同步整流、DC/DC轉(zhuǎn)換器中的初級側(cè)開關(guān)、負(fù)載點(diǎn)模塊、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、橋式逆變器和替代機(jī)械式繼電器的應(yīng)用。典型終端產(chǎn)品包括通信電源、工業(yè)自動(dòng)化和專業(yè)游戲機(jī)、不間斷電源(UPS)和消費(fèi)類應(yīng)用。

　　MOSFET的電壓等級為4.5V，使許多設(shè)計(jì)者能夠在其系統(tǒng)中使用現(xiàn)有的給數(shù)字邏輯電路供電的5V電源軌，無需再為10V電源軌騰出和尋找合適的空間。4.5V電壓等級還能夠大幅降低柵極驅(qū)動(dòng)的損耗，同時(shí)還能夠使用電壓更低、成本更低的5V PWM IC。

　　兩款芯片均經(jīng)過了100%的Rg和UIS測試，符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定，符合RoHS指令2002/95/EC。

　　SiR662DP和SiR640DP現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十六周。