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東芝升級24納米閃存技術(shù)

—— 或為iPhone 5準備
作者: 時間:2011-04-07 來源:新浪科技 收藏

  日前對旗下24納米工藝閃存芯片進行升級并推出了最新SmartNAND系列產(chǎn)品,此次閃存升級可能是在為蘋果下一代 5手機的發(fā)布做準備。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/118429.htm

  SmartNAND系列產(chǎn)品基于24納米制程工藝,芯片最大容量可達64GB,適用于媒體播放器、平板電腦和其它設備。除了擁有更大存儲容量外,新芯片的內(nèi)存控制器可以進一步提升讀取、寫入速度。所有芯片均支持錯誤檢查和糾正(ECC)功能,該功能可以減輕主處理器的數(shù)據(jù)糾錯工作負擔。

  SmartNAND系列芯片容量在4-64GB,其中4GB、8GB、16GB芯片將在4月或5月進行樣品生產(chǎn),32GB和64GB芯片則將在6月份開始樣品生產(chǎn),今夏開始量產(chǎn)。

  新閃存的面世也再次驗證了蘋果 5將配備64GB存儲空間的傳聞,此前有64GB版 4曝光,并有消息指出下一代iPhone 5也將擁有64GB存儲空間可選版本。



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