IM Flash向客戶送樣最新20納米制程8GB NAND

　　據(jù)華爾街日報(WSJ)報導(dǎo)指出，由英特爾(Intel)和美光(Micron)出資各半成立的快閃存儲器合資公司IM Flash，日前領(lǐng)先業(yè)界率先推出最新20納米制程快閃存儲器，這也使得智能型手機(jī)和平板計算機(jī)里的儲存裝置可以進(jìn)一步縮小。

　　IM Flash于美國時間14日宣布，該公司正向客戶送樣20納米制程8GB NAND快閃存儲器，并預(yù)計在2011下半年導(dǎo)入量產(chǎn)。此外，IM Flash也預(yù)計將在2011下半年開始送樣16GB NAND快閃存儲器。

　　報導(dǎo)指出，相較于競爭對手包括三星電子、海力士和東芝、新帝等廠仍在量產(chǎn)25納米制程快閃存儲器，英特爾和美光已經(jīng)先一步跑在前面導(dǎo)入20納米制程投產(chǎn)。

　　據(jù)悉，IM Flash已經(jīng)量產(chǎn)25納米制程達(dá)1年半的時間，如今正向20納米制程轉(zhuǎn)換。英特爾和美光表示，利用20納米制程投產(chǎn)后，將可望打造比1枚郵票體積還要小的128GB固態(tài)硬盤(SSD)。

　　美光NAND解決方案事業(yè)群營銷主管Kevin Kilbuck表示，持續(xù)進(jìn)行NAND Flash制程微細(xì)化，才能激發(fā)出新的終端應(yīng)用裝置出現(xiàn)。如今，該公司可以擠進(jìn)更多的存儲器到現(xiàn)有的終端裝置里，或是在較低的成本下使用相同容量的存儲器。

　　利用最新20納米制程所打造出來的8GB NAND快閃存儲器，可以縮小占用電路版空間3成到4成，使得平板計算機(jī)或智能型手機(jī)可以利用多出來的空間加入其它的功能，例如加大電池的尺寸，拉長電池續(xù)航力，或是加入另一顆處理器好處理嶄新的功能。