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東芝Sandisk搭檔組推出19nm制程N(yùn)AND閃存芯片

—— Intel鎂光20nm第一寶座只坐7天
作者: 時(shí)間:2011-04-21 來(lái)源:cnBeta 收藏

  上周,Intel和鎂光發(fā)表聯(lián)合聲明,正式推出采用20nm制程技術(shù)制造的閃存芯片產(chǎn)品,并稱這款產(chǎn)品將于年內(nèi)在IMFT屬下的工廠開始生產(chǎn)。不過(guò)兩家的頭名板凳還沒(méi)有坐熱,本周Sandisk和組成的搭檔組合便重新奪回了閃存制程技術(shù)的寶座,他們宣稱已經(jīng)制造出了采用19nm制程技術(shù)的閃存芯片,目前這兩家公司在日本設(shè)有一家合資芯片制造公司。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/118886.htm

  此舉令外界感到非常驚訝。因?yàn)榘凑胀饨绲墓烙?jì),Sandisk與本應(yīng)到今年年末時(shí)才會(huì)對(duì)外公布其采用1xnm級(jí)別制程的NAND芯片產(chǎn)品。而現(xiàn)在Intel和鎂光卻只在第一名的寶座上坐了7天就被趕下臺(tái)來(lái)。

  目前Sandisk與開發(fā)的19nm制程技術(shù)已經(jīng)應(yīng)用到了公司的2位元型64Gb密度芯片產(chǎn)品上,也就是說(shuō)采用這種19nm制程技術(shù)制造的芯片容量可以達(dá)到8GB水平。未來(lái)兩家公司還計(jì)劃將這種制程技術(shù)應(yīng)用在3位元型閃存產(chǎn)品上。

  據(jù)東芝表示,兩家公司將在其位于日本橫濱的300mm規(guī)格Fab4(而非新建的300mmFab5)工廠內(nèi)采用19nm制程生產(chǎn)這種芯片產(chǎn)品,并將逐步提升芯片的產(chǎn)量。目前兩家公司在橫濱的生產(chǎn)基地內(nèi)共設(shè)有四間NAND閃存芯片工廠。

  去年,日本東芝公司開始了新NAND閃存芯片廠Fab5的建設(shè)工作,這間工廠同樣也是300mm規(guī)格,該廠預(yù)計(jì)今年春季將竣工。

  東芝還表示,東芝方面采用19nm制程制作的2位元型64Gbit密度NAND芯片樣品將于本月底對(duì)外供應(yīng),而產(chǎn)品的量產(chǎn)則定于今年第三季度進(jìn)行。

  應(yīng)用19nm制程將能進(jìn)一步縮小閃存芯片的尺寸,這樣?xùn)|芝便可以將16片64Gbit密度的NAND閃存芯片安裝在同一個(gè)封裝內(nèi),制造出128GB容量的閃存芯片產(chǎn)品,以滿足智能手機(jī)和平板電腦的需求。另外,這款采用19nm制程技術(shù)制造的NAND閃存芯片還啟用了可提升數(shù)據(jù)傳輸速度的Toggle DDR2.0技術(shù)。

  而Sandisk方面則將在本季度內(nèi)推出采用19nm制程64Gbit密度NAND芯片制作的X2閃存樣品,產(chǎn)品的量產(chǎn)則計(jì)劃于今年下半年啟動(dòng)。屆時(shí)Sandisk同樣會(huì)將19nm制程技術(shù)引入3位元型設(shè)計(jì)的NAND閃存芯片產(chǎn)品中去。



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