IR推出采用新型WideLead封裝車(chē)用MOSFET系列

　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出采用新型 WideLead TO-262 封裝的車(chē)用 MOSFET 系列，與傳統(tǒng)的 TO-262封裝相比，可減少50% 引線(xiàn)電阻，并提高30% 電流。

　　這款新型車(chē)用 MOSFET 系列適合需要低導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) 的通用大負(fù)荷/高功率通孔應(yīng)用，內(nèi)燃機(jī) (ICE) 汽車(chē)電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)和電池開(kāi)關(guān)，以及各類(lèi)微型和全混合動(dòng)力汽車(chē)。新器件采用 IR 先進(jìn)的硅和封裝技術(shù)，在顯著提高性能的同時(shí)可與現(xiàn)有的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)相匹配。

　　在標(biāo)準(zhǔn) TO-262 通孔封裝中，除了 MOSFET 導(dǎo)通電阻，源極和漏極引線(xiàn)電阻可增至1mΩ。新 WideLead TO-262 通孔封裝可將引線(xiàn)電阻降至不到 0.5 mΩ，大大減少了引線(xiàn)中的傳導(dǎo)損耗和熱量，在特定的工作溫度下，比傳統(tǒng)的 TO-262 封裝的電流承載能力高30%。根據(jù)評(píng)估，在直流電為 40A 和 60A 的條件下，WideLead 引線(xiàn)溫度比標(biāo)準(zhǔn) TO-262分別低 30% 和 39%。此外，隨著其它封裝技術(shù)的提高，WideLead 比標(biāo)準(zhǔn) TO-262 封裝中的同等 MOSFET 少傳輸 20% 導(dǎo)通電阻。

　　IR 亞太區(qū)銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示：“新型 WideLead TO-262 封裝的設(shè)計(jì)靈感來(lái)自于DirectFET® 封裝超低芯片自由阻抗的出色性能，以及傳統(tǒng) TO-262 封裝的各種局限性。IR 新型 WideLead 封裝中的 MOSFET 新系列在傳輸高電流的同時(shí)，大大降低了引線(xiàn)中的傳導(dǎo)損耗和自身熱量，從而為汽車(chē)應(yīng)用提供了一個(gè)堅(jiān)固可靠的解決方案。”

　　所有 IR 車(chē)用 MOSFET 產(chǎn)品都遵循 IR 要求零缺陷的汽車(chē)質(zhì)量理念，并經(jīng)過(guò)了動(dòng)態(tài)和靜態(tài)器件平均測(cè)試及 100% 自動(dòng)晶圓級(jí)目視檢查。

　　新器件符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，是在IR要求零缺陷的汽車(chē)質(zhì)量理念下研制而成的。它環(huán)保、無(wú)鉛，也符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。