據(jù)稱三星完成3D芯片準(zhǔn)備工作
據(jù)南韓電子新聞報導(dǎo),三星電子(Samsung Electronics)已完成3D芯片生產(chǎn)系統(tǒng)的建構(gòu),正準(zhǔn)備投入量產(chǎn)。近來英特爾(Intel)宣告領(lǐng)先全球開發(fā)出3D芯片,三星也表示持有相當(dāng)數(shù)量的相關(guān)技術(shù),且已確保量產(chǎn)技術(shù)。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/119939.htm業(yè)界專家認(rèn)為,在行動應(yīng)用處理器(AP)市場上初嶄露頭角的三星,透過引進(jìn)英特爾3D技術(shù),為進(jìn)入市場已籌備一段時間。據(jù)南韓相關(guān)業(yè)者表示,三星系統(tǒng)LSI事業(yè)部不只確保多項(xiàng)3D芯片制程技術(shù),也已完成量產(chǎn)系統(tǒng)架構(gòu),目前正在討論何時投入量產(chǎn)。
三星投入量產(chǎn)的時程,可能與英特爾使用3D芯片技術(shù)制作Ivy Bridge的生產(chǎn)時期相近。也就是說三星和英特爾間使用3D芯片制程技術(shù)生產(chǎn)芯片的競爭,將會在2011年內(nèi)正式展開。
三星所持有的3D芯片制程技術(shù)與英特爾所發(fā)表的3D芯片技術(shù)「tri-gate」,雖然基本理論相同,但形態(tài)完全相異,因此未來應(yīng)不會發(fā)生專利侵權(quán)相關(guān)問題。
外電指出,三星自2006年起將3D芯片技術(shù)應(yīng)用在50奈米1Gb DRAM,比英特爾更早掌握以3D立體結(jié)構(gòu)生產(chǎn)芯片的訣竅。3D制程技術(shù)可應(yīng)用在20奈米半導(dǎo)體,行動應(yīng)用處理器的微細(xì)制程競爭勢必也將越演越烈。
南韓業(yè)界專家表示,雖然與生產(chǎn)內(nèi)存芯片有很大差異,但使用3D技數(shù)量產(chǎn)基本上是相同的,因此三星系統(tǒng)LSI事業(yè)部在生產(chǎn)3D芯片上應(yīng)不會遇到太大困難,而最重要的產(chǎn)品性能就必須待產(chǎn)品上市后,才能進(jìn)行觀察。
三星相關(guān)人員表示,三星已確保3D芯片制程技術(shù),但目前的行動應(yīng)用處理器產(chǎn)品已可充分滿足客戶要求的水平,認(rèn)為沒有立即量產(chǎn)的必要性,將持續(xù)觀察適合投入量產(chǎn)時機(jī)。
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