英飛凌節(jié)能芯片以出色性能幫助全球降低能耗

　　在德國紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會(5月17日至19日)上，英飛凌科技展出的一系列創(chuàng)新產(chǎn)品和解決方案生動地詮釋了大會的宣傳口號“高能效之道(Energy – the efficient way)”。這些產(chǎn)品和解決方案可確保大幅降低電子設(shè)備和機器的能耗。

　　國際能源機構(gòu)(IEA)預(yù)計，今后20年，全球能耗將增加35%以上。以電力形式消耗的能源，占全球總能耗的三分之一左右。電力一般要經(jīng)過遠距離輸送，這個過程往往會損耗大量電力。巧妙地利用功率半導(dǎo)體，能夠最大限度地降低發(fā)電、輸配電和電源轉(zhuǎn)換等環(huán)節(jié)的電力損耗，從而消除這種能源損失。利用這種節(jié)能芯片還可以大大提高電子設(shè)備和機器的能效，以確保最大限度地節(jié)省能源。隨著全球人口數(shù)量不斷增長，節(jié)能的重要性日益凸顯。從某種意義上講，提高能效也是最大的能源來源之一。作為全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商，英飛凌通過提供IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)、CoolMOS™、OptiMOS™和碳化硅等產(chǎn)品，為降低全球能耗作出了巨大貢獻。諸如電視機、計算機、電源裝置、游戲機、服務(wù)器、電機和機器等各類電子和電氣設(shè)備紛紛使用了英飛凌的節(jié)能芯片。

　　英飛凌科技副總裁兼電源管理和分立式器件業(yè)務(wù)部總經(jīng)理Andreas Urschitz表示：“利用英飛凌節(jié)能半導(dǎo)體解決方案，最多可將全球總能耗降低25%。我們的產(chǎn)品的節(jié)能效果甚至超過了國際能效標準，因而能為我們的客戶帶來明顯的競爭優(yōu)勢。”

　　英飛凌在PCIM Europe 2011展會上展出的電源管理產(chǎn)品和解決方案一覽：

　　最新RC-D快速IGBT以很高的開關(guān)頻率實現(xiàn)了最高達96%的能效，同時縮小變頻器的尺寸并降低其成本

　　英飛凌的逆導(dǎo)型(RC)600V IGBT家族又添兩名新成員。這兩款新的功率開關(guān)器件可在目標應(yīng)用中實現(xiàn)最高達96%的能效。利用這些全新推出的RC-D快速IGBT，可以設(shè)計出更高能效的電機驅(qū)動家用電器，它們使用尺寸更小的元件，因此成本比同類系統(tǒng)更低。

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　　英飛凌最新推出市場領(lǐng)先的集成快速體二極管的650V CoolMOS™ CFD2產(chǎn)品，可將諸如服務(wù)器、太陽能設(shè)備、電信機房開關(guān)電源和照明裝置等設(shè)備的能效提升至新的高度

　　英飛凌的最新一代高壓CoolMOS™ MOSFET實現(xiàn)了又一項創(chuàng)新，設(shè)立了能源效率的新標準。英飛凌展出了全新650V CoolMOS™ CFD2，它是世界上第一款漏源擊穿電壓為650V并且集成了快速體二極管的高壓晶體管。這個新的CFD2器件延續(xù)了600V CFD產(chǎn)品的優(yōu)點，不僅可以提高能效，而且具備更軟的換流功能，從而降低了電磁干擾(EMI)，提升產(chǎn)品的競爭優(yōu)勢。

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　　英飛凌為實現(xiàn)高能效電源轉(zhuǎn)換設(shè)計助一臂之力：中壓系列OptiMOS™進一步完善CanPAK™產(chǎn)品陣容

　　英飛凌新推出的60V至150V CanPAK™，進一步完善了其OptiMOS™功率MOSFET產(chǎn)品陣容。利用該產(chǎn)品，電源系統(tǒng)工程師可以優(yōu)化設(shè)計，實現(xiàn)更高能效和卓越的散熱性能，同時最大限度地縮小占板空間。較之于標準分立式封裝，CanPAK™金屬“罐”結(jié)構(gòu)有助于實現(xiàn)雙面散熱，并且?guī)缀醪粫a(chǎn)生封裝寄生電感。CanPAK™的優(yōu)勢與OptiMOS™家族的杰出性能相得益彰。OptiMOS™產(chǎn)品可在整個電壓范圍內(nèi)實現(xiàn)行業(yè)最低的RDS(on)和Qg 。對于諸如面向電信應(yīng)用的隔離式DC-DC電源轉(zhuǎn)換器，以及太陽能微型逆變器和太陽能系統(tǒng)中使用的MPP追蹤器等快速開關(guān)應(yīng)用而言，很低的柵極電荷(Qg)意味著最低的開關(guān)損耗。而對于諸如電機控制等高電流應(yīng)用場合，英飛凌CanPAK™產(chǎn)品具備業(yè)界最低的RDS(on)，可以實現(xiàn)最低的功率損耗。