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英飛凌節(jié)能芯片以出色性能幫助全球降低能耗

—— 產(chǎn)品節(jié)能效果高于國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)
作者: 時(shí)間:2011-06-02 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  在德國(guó)紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會(huì)(5月17日至19日)上,科技展出的一系列創(chuàng)新產(chǎn)品和解決方案生動(dòng)地詮釋了大會(huì)的宣傳口號(hào)“高能效之道(Energy – the efficient way)”。這些產(chǎn)品和解決方案可確保大幅降低電子設(shè)備和機(jī)器的能耗。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/120050.htm

  國(guó)際能源機(jī)構(gòu)(IEA)預(yù)計(jì),今后20年,全球能耗將增加35%以上。以電力形式消耗的能源,占全球總能耗的三分之一左右。電力一般要經(jīng)過(guò)遠(yuǎn)距離輸送,這個(gè)過(guò)程往往會(huì)損耗大量電力。巧妙地利用功率半導(dǎo)體,能夠最大限度地降低發(fā)電、輸配電和電源轉(zhuǎn)換等環(huán)節(jié)的電力損耗,從而消除這種能源損失。利用這種還可以大大提高電子設(shè)備和機(jī)器的能效,以確保最大限度地節(jié)省能源。隨著全球人口數(shù)量不斷增長(zhǎng),節(jié)能的重要性日益凸顯。從某種意義上講,提高能效也是最大的能源來(lái)源之一。作為全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商,通過(guò)提供IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)、CoolMOS™、OptiMOS™和碳化硅等產(chǎn)品,為降低全球能耗作出了巨大貢獻(xiàn)。諸如電視機(jī)、計(jì)算機(jī)、電源裝置、游戲機(jī)、服務(wù)器、電機(jī)和機(jī)器等各類電子和電氣設(shè)備紛紛使用了

  英飛凌科技副總裁兼電源管理和分立式器件業(yè)務(wù)部總經(jīng)理Andreas Urschitz表示:“利用英飛凌節(jié)能半導(dǎo)體解決方案,最多可將全球總能耗降低25%。我們的產(chǎn)品的節(jié)能效果甚至超過(guò)了國(guó)際能效標(biāo)準(zhǔn),因而能為我們的客戶帶來(lái)明顯的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。”

  英飛凌在PCIM Europe 2011展會(huì)上展出的電源管理產(chǎn)品和解決方案一覽:

  最新RC-D快速IGBT以很高的開(kāi)關(guān)頻率實(shí)現(xiàn)了最高達(dá)96%的能效,同時(shí)縮小變頻器的尺寸并降低其成本

  英飛凌的逆導(dǎo)型(RC)600V IGBT家族又添兩名新成員。這兩款新的功率開(kāi)關(guān)器件可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最高達(dá)96%的能效。利用這些全新推出的RC-D快速IGBT,可以設(shè)計(jì)出更高能效的電機(jī)驅(qū)動(dòng)家用電器,它們使用尺寸更小的元件,因此成本比同類系統(tǒng)更低。

  如欲了解更多信息,敬請(qǐng)登錄www.infineon.com/rcdf

  英飛凌最新推出市場(chǎng)領(lǐng)先的集成快速體二極管的650V CoolMOS™ CFD2產(chǎn)品,可將諸如服務(wù)器、太陽(yáng)能設(shè)備、電信機(jī)房開(kāi)關(guān)電源和照明裝置等設(shè)備的能效提升至新的高度

  英飛凌的最新一代高壓CoolMOS™ MOSFET實(shí)現(xiàn)了又一項(xiàng)創(chuàng)新,設(shè)立了能源效率的新標(biāo)準(zhǔn)。英飛凌展出了全新650V CoolMOS™ CFD2,它是世界上第一款漏源擊穿電壓為650V并且集成了快速體二極管的高壓晶體管。這個(gè)新的CFD2器件延續(xù)了600V CFD產(chǎn)品的優(yōu)點(diǎn),不僅可以提高能效,而且具備更軟的換流功能,從而降低了電磁干擾(EMI),提升產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

  如欲了解更多信息,敬請(qǐng)登錄www.infineon.com/cfd2

  英飛凌為實(shí)現(xiàn)高能效電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)助一臂之力:中壓系列OptiMOS™進(jìn)一步完善CanPAK™產(chǎn)品陣容

  英飛凌新推出的60V至150V CanPAK™,進(jìn)一步完善了其OptiMOS™功率MOSFET產(chǎn)品陣容。利用該產(chǎn)品,電源系統(tǒng)工程師可以優(yōu)化設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)更高能效和卓越的散熱性能,同時(shí)最大限度地縮小占板空間。較之于標(biāo)準(zhǔn)分立式封裝,CanPAK™金屬“罐”結(jié)構(gòu)有助于實(shí)現(xiàn)雙面散熱,并且?guī)缀醪粫?huì)產(chǎn)生封裝寄生電感。CanPAK™的優(yōu)勢(shì)與OptiMOS™家族的杰出性能相得益彰。OptiMOS™產(chǎn)品可在整個(gè)電壓范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)行業(yè)最低的RDS(on)和Qg 。對(duì)于諸如面向電信應(yīng)用的隔離式DC-DC電源轉(zhuǎn)換器,以及太陽(yáng)能微型逆變器和太陽(yáng)能系統(tǒng)中使用的MPP追蹤器等快速開(kāi)關(guān)應(yīng)用而言,很低的柵極電荷(Qg)意味著最低的開(kāi)關(guān)損耗。而對(duì)于諸如電機(jī)控制等高電流應(yīng)用場(chǎng)合,英飛凌CanPAK™產(chǎn)品具備業(yè)界最低的RDS(on),可以實(shí)現(xiàn)最低的功率損耗。


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