英飛凌節(jié)能芯片可大幅降低能耗

       5月31日，在德國(guó)紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會(huì)（5月17日至19日）上，英飛凌科技展出的一系列創(chuàng)新產(chǎn)品和解決方案生動(dòng)地詮釋了大會(huì)的宣傳口號(hào)“高能效之道（Energy – the efficient way）”。這些產(chǎn)品和解決方案可確保大幅降低電子設(shè)備和機(jī)器的能耗。

       國(guó)際能源機(jī)構(gòu)（IEA）預(yù)計(jì)，今后20年，全球能耗將增加35%以上。以電力形式消耗的能源，占全球總能耗的三分之一左右。電力一般要經(jīng)過遠(yuǎn)距離輸送，這個(gè)過程往往會(huì)損耗大量電力。巧妙地利用功率半導(dǎo)體，能夠最大限度地降低發(fā)電、輸配電和電源轉(zhuǎn)換等環(huán)節(jié)的電力損耗，從而消除這種能源損失。利用這種節(jié)能芯片還可以大大提高電子設(shè)備和機(jī)器的能效，以確保最大限度地節(jié)省能源。隨著全球人口數(shù)量不斷增長(zhǎng)，節(jié)能的重要性日益凸顯。從某種意義上講，提高能效也是最大的能源來源之一。作為全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商，英飛凌通過提供IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）、CoolMOS™、OptiMOS™和碳化硅等產(chǎn)品，為降低全球能耗作出了巨大貢獻(xiàn)。諸如電視機(jī)、計(jì)算機(jī)、電源裝置、游戲機(jī)、服務(wù)器、電機(jī)和機(jī)器等各類電子和電氣設(shè)備紛紛使用了英飛凌的節(jié)能芯片。

      英飛凌科技副總裁兼電源管理和分立式器件業(yè)務(wù)部總經(jīng)理Andreas Urschitz表示：“利用英飛凌節(jié)能半導(dǎo)體解決方案，最多可將全球總能耗降低25%。我們的產(chǎn)品的節(jié)能效果甚至超過了國(guó)際能效標(biāo)準(zhǔn)，因而能為我們的客戶帶來明顯的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。”

 
       英飛凌在PCIM Europe 2011展會(huì)上展出的電源管理產(chǎn)品和解決方案一覽：

      最新RC-D快速IGBT以很高的開關(guān)頻率實(shí)現(xiàn)了最高達(dá)96%的能效，同時(shí)縮小變頻器的尺寸并降低其成本

       英飛凌的逆導(dǎo)型（RC）600V IGBT家族又添兩名新成員。這兩款新的功率開關(guān)器件可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最高達(dá)96%的能效。利用這些全新推出的RC-D快速IGBT，可以設(shè)計(jì)出更高能效的電機(jī)驅(qū)動(dòng)家用電器，它們使用尺寸更小的元件，因此成本比同類系統(tǒng)更低。

       英飛凌最新推出市場(chǎng)領(lǐng)先的集成快速體二極管的650V CoolMOS™ CFD2產(chǎn)品，可將諸如服務(wù)器、太陽(yáng)能設(shè)備、電信機(jī)房開關(guān)電源和照明裝置等設(shè)備的能效提升至新的高度

       英飛凌的最新一代高壓CoolMOS™ MOSFET實(shí)現(xiàn)了又一項(xiàng)創(chuàng)新，設(shè)立了能源效率的新標(biāo)準(zhǔn)。英飛凌展出了全新650V CoolMOS™ CFD2，它是世界上第一款漏源擊穿電壓為650V并且集成了快速體二極管的高壓晶體管。這個(gè)新的CFD2器件延續(xù)了600V CFD產(chǎn)品的優(yōu)點(diǎn)，不僅可以提高能效，而且具備更軟的換流功能，從而降低了電磁干擾（EMI），提升產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。