IR推出新款PQFN 2mm x 2mm封裝
—— 為低功耗應用提供解決方案
英飛凌汽車電子生態(tài)圈
全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術(shù)，為一系列的低功耗應用，包括智能手機、平板電腦、攝像機、數(shù)碼相機、筆記本電腦、服務器和網(wǎng)絡通訊設備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案。
本文引用地址：http://www.butianyuan.cn/article/120447.htm
新款的PQFN2x2器件提供20V、25 V和30 V的選擇，并帶有標準或邏輯水平柵極驅(qū)動器。這些器件只需要4mm2的占位空間，采用IR最新的低電壓 N-通道和P-通道硅技術(shù)，從而達到極低的導通電阻 (RDS(on)) ，以及等同PQFN3.3x3.3或PQFN5x6封裝的高功率密度。
IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“IR的新型PQFN2x2器件進一步擴展IR廣闊的功率 MOSFET系列，也可以滿足我們客戶的需求，進一步縮小封裝尺寸，并結(jié)合基準硅技術(shù)。這些新器件擁有超小尺寸和高密度，非常適合于高度數(shù)字化內(nèi)容相關(guān)的應用。”
這個PQFN2x2系列包括為負載開關(guān)的高側(cè)而優(yōu)化的P-通道器件，帶來一個更簡單的驅(qū)動解決方案。同時，新器件的厚度少于1 mm，使它們與現(xiàn)有的表面貼裝技術(shù)兼容，并且擁有行業(yè)標準的占位空間，還符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制指令 (RoHS) 。
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