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Rambus新技術:0.5納秒極速內(nèi)存開關

—— 有望為內(nèi)存設備帶來全新改變
作者: 時間:2011-06-20 來源:cnBeta 收藏

  聲名狼藉,不過在技術方面的確是有自己的一套。在東京召開的2011年超大規(guī)模集成電路討論會上,就宣布了一種突破性的快速加電、低功耗時鐘技術,有望為內(nèi)存設備帶來全新的面貌。配合40nm低功耗CMOS工藝,這種新技術能夠讓內(nèi)存在0.5納秒的時間內(nèi)完成從零功耗待機狀態(tài)到每個差分鏈接5+Gbps高速數(shù)據(jù)傳輸工作狀態(tài)的轉(zhuǎn)換,同時運行功耗僅僅2.4mW/Gb/s,也就是說全速工作的時候每秒也不過12mW。

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/120585.htm

  為了改進服務器和移動系統(tǒng)的能效,人們一直在尋求降低內(nèi)存子系統(tǒng)功耗的方法。服務器應用中面臨的主要挑戰(zhàn)是需要快速切入和切出最低功耗狀態(tài),而移動系統(tǒng)雖然支持多種電源狀態(tài),但是低功耗運行通常需要復雜的電源狀態(tài)電路來配合完成。

  聲稱,他們研發(fā)的新技術能夠避免這些弊端,實現(xiàn)內(nèi)存子系統(tǒng)極快速地開關,而且可與SoC與內(nèi)存界面、SoC與SoC連接相整合,從而縮短訪問延遲、簡化系統(tǒng)設計、降低整體系統(tǒng)功耗。



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