英飛凌展出SiC JFET功率模塊
德國英飛凌科技在東京舉行的展會“智能電網(wǎng)展2011&新一代汽車產(chǎn)業(yè)展2011”(舉辦期間:2011年6月15日~17日)上,展出了各種功率模塊。比如,配備SiC JFET的產(chǎn)品和延長了功率循環(huán)壽命的產(chǎn)品等。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/120654.htm功率模塊將耐壓為1200V、導通電阻為100mΩ的SiC JFET配備于3枚芯片上。外形尺寸“約為2~3mm見方”(解說員)。每枚芯片的電流容量為10A。
由于SiC JFET常開工作,因此為實現(xiàn)常開化進行了多段連接。將用于多段連接的30V耐壓p通道硅MOSFET配備于2枚芯片上。利用英飛凌名為“直接驅(qū)動”的方法,直接開關SiC JFET進行驅(qū)動。與開關多段連接的MOSFET進行控制的方法相比,可降低接通時的環(huán)狀噪聲。
英飛凌計劃在2011年內(nèi)分別上市利用SiC JFET的功率模塊產(chǎn)品和采用TO220等封裝的SiC JFET芯片。模塊尺寸約為63mm×34mm×16mm(含端子等在內(nèi))。
功率循環(huán)壽命延至10倍
在會場上,英飛凌還展示了功率循環(huán)壽命延至原產(chǎn)品10倍的功率模塊。采用了名為“.XT”的技術。通過改變功率半導體芯片的鍵合引線材料、以及改進芯片與DCB基板之間的接合技術,延長了功率循環(huán)壽命。
此次,英飛凌將鍵合引線的材料由鋁改為銅。一般情況下,使用銅“除了材料費較高外,還存在容易氧化、很難做成錫球等技術方面的課題”(解說員)。該公司沒有公布詳情,不過稱現(xiàn)已解決該課題,提高了產(chǎn)品的可靠性。該公司表示,利用銅線的鍵合技術已用于其MOSFET等,此次就是以該技術為基礎的。
另外,英飛凌為接合功率半導體芯片和DCB基板采用了名為“擴散焊接方式”的方法。由于與普通方法相比,焊錫層較薄并且熱阻較小等,能提高產(chǎn)品的可靠性。
英飛凌在會場上展示了利用上述.XT技術的耐壓1200V、電流900A的IGBT功率模塊。
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