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美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體推出針對(duì)增強(qiáng)型氮化鎵功率FET的100V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器

—— 提高了高壓應(yīng)用的功率密度和效率
作者: 時(shí)間:2011-06-22 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

       美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司(National Semiconductor Corp.)(美國(guó)紐約證券交易所上市代碼:M)今天宣布,推出業(yè)界首款針對(duì)高壓電源轉(zhuǎn)換器的增強(qiáng)型氮化鎵(GaN)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)而優(yōu)化的100V半橋柵極。美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體新推出的LM5113是一款高度集成的高邊和低邊GaN FET,與使用分立的設(shè)計(jì)相比,其可減少75%的組件數(shù)量,并還能縮小多達(dá)85%的印刷電路板(PCB)面積。
  
       磚式電源模塊和通信基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備的設(shè)計(jì)人員需要以最小的外形尺寸實(shí)現(xiàn)更高的功效。與標(biāo)準(zhǔn)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)相比,由于具有較低的導(dǎo)通電阻(Rdson)、柵極電荷(Qg)以及超小的體積,增強(qiáng)型GaN FET可以實(shí)現(xiàn)更高的效率和功率密度,但是要可靠地驅(qū)動(dòng)這類(lèi)器件也面臨著新的重大挑戰(zhàn)。美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體的LM5113驅(qū)動(dòng)集成電路化解了這些挑戰(zhàn),使電源設(shè)計(jì)人員能夠在各種流行的電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中發(fā)揮GaN FET的優(yōu)勢(shì)。
 
       為了滿(mǎn)足增強(qiáng)型GaN FET嚴(yán)格的柵極驅(qū)動(dòng)要求,我們需要多個(gè)分立器件和大量的電路以及PCB設(shè)計(jì)工作。美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體的LM5113完全集成的增強(qiáng)型GaN FET驅(qū)動(dòng)器大大減少了電路的數(shù)量和PCB的設(shè)計(jì)工作,并實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最佳的功率密度和效率。
 
       宜普電源轉(zhuǎn)換公司(Efficient Power Conversion Corporation)的創(chuàng)始人之一兼首席執(zhí)行官Alex Lidow表示:“美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體的LM5113橋式驅(qū)動(dòng)器有助于設(shè)計(jì)人員通過(guò)簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)來(lái)發(fā)揮eGaN FETs的性能。LM5113大大減少了元件數(shù)量,與我們的eGaN FETs配合使用,可以大幅縮小PCB面積,實(shí)現(xiàn)更高的功率密度水平,而基于等效MOSFET的設(shè)計(jì)是做不到這一點(diǎn)的。”
 
LM5113橋式驅(qū)動(dòng)器的技術(shù)特點(diǎn)

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/120696.htm

       美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體的LM5113是一款針對(duì)增強(qiáng)型GaN FET的100V橋式驅(qū)動(dòng)器。該器件采用專(zhuān)有技術(shù),可將高邊浮動(dòng)自舉電容電壓調(diào)節(jié)到大約5.25V,以?xún)?yōu)化驅(qū)動(dòng)增強(qiáng)型GaN功率FET,而不會(huì)超過(guò)最高柵-源額定電壓。LM5113還具有獨(dú)立的匯/源輸出,可實(shí)現(xiàn)靈活的導(dǎo)通強(qiáng)度和關(guān)斷強(qiáng)度。0.5歐姆的低阻抗下拉路徑為低閾值電壓增強(qiáng)型GaN功率FET提供了一種快速、可靠的關(guān)斷機(jī)制,有助于最大限度地提高高頻電源設(shè)計(jì)的效率。LM5113集成了一個(gè)高邊自舉二極管,進(jìn)一步縮小了PCB面積。LM5113還為高邊和低邊驅(qū)動(dòng)器提供了獨(dú)立的邏輯輸入,從而可以靈活運(yùn)用于各種隔離式和非隔離式電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
 
若欲了解更多信息,可瀏覽網(wǎng)頁(yè) http://www.national.com/pf/LM/LM5113.html。
 
封裝、價(jià)格及供貨情況

美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體的LM5113采用10引腳4mm × 4mm LLP封裝。采購(gòu)均以1,000顆為單位,單顆售價(jià)為1.65美元?,F(xiàn)已可提供樣品,并將于九月份量產(chǎn)。



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