IMS Research發(fā)布2010年功率半導(dǎo)體市場報告
—— 2010年增長率達(dá)到43%
根據(jù)IMS Research的最新報告,功率半導(dǎo)體市場2010年強(qiáng)勁反彈,年增長率達(dá)到43%,銷售額大概為160億美元,模塊產(chǎn)品增長率達(dá)到了65%,遠(yuǎn)高于分立功率器件。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/121010.htm該報告認(rèn)為,英飛凌在功率MOSFET及IGBT中市場份額最大,三菱及富士通在模塊產(chǎn)品中份額增加,而IR、ST及Vishay則主要在分立器件中份額增加。
IMS Research表示,增長主要來源于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動器、汽車以及計算機(jī)及辦公設(shè)備的增長。
中國市場上IGBT的銷量猛增,主要是由于變頻設(shè)備的熱銷,包括空調(diào)、洗衣機(jī)、電冰箱等家用電器。
前十大供應(yīng)商分別為:
1. Infineon
2. Mitsubishi
3. Toshiba
4. STMicroelectronics
5. Vishay
6. International Rectifier
7. Fairchild
8. Fuji Electric
9. Renesas
10. Semikron
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