IMS Research發(fā)布2010年功率半導(dǎo)體市場報(bào)告

　　根據(jù)IMS Research的最新報(bào)告，功率半導(dǎo)體市場2010年強(qiáng)勁反彈，年增長率達(dá)到43%，銷售額大概為160億美元，模塊產(chǎn)品增長率達(dá)到了65%，遠(yuǎn)高于分立功率器件。

　　該報(bào)告認(rèn)為，英飛凌在功率MOSFET及IGBT中市場份額最大，三菱及富士通在模塊產(chǎn)品中份額增加，而IR、ST及Vishay則主要在分立器件中份額增加。

　　IMS Research表示，增長主要來源于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動器、汽車以及計(jì)算機(jī)及辦公設(shè)備的增長。

　　中國市場上IGBT的銷量猛增，主要是由于變頻設(shè)備的熱銷，包括空調(diào)、洗衣機(jī)、電冰箱等家用電器。

　　前十大供應(yīng)商分別為：

　　1. Infineon

　　2. Mitsubishi

　　3. Toshiba

　　4. STMicroelectronics

　　5. Vishay

　　6. International Rectifier

　　7. Fairchild

　　8. Fuji Electric

　　9. Renesas

　　10. Semikron