Hynix東芝宣布將聯(lián)合開發(fā)STT-MRAM技術(shù)

　　韓國Hynix與日本東芝公司近日宣布兩家公司將共同開發(fā)STT-MRAM(spin-transfer torque magnetoresistence RAM:自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻RAM)技術(shù),兩家公司均認(rèn)為這項技術(shù)是非常重要的下一代非易失性存儲技術(shù)之一。一旦有關(guān)的技術(shù)研發(fā)完成之后，兩家公司計劃成立一 家專門生產(chǎn)STT-MRAM的芯片制造公司。另外，作為這次合作戰(zhàn)略的其它部分，兩家公司還將擴大專利交叉授權(quán)的范圍。

　　據(jù)兩家公司的聯(lián)合聲明稱，MRAM是一種非易失性存儲技術(shù)，它具備速度極快和耗電量低的優(yōu)點。預(yù)計STT-MRAM芯片初期的用途將包括對耗電量要求很高的移動設(shè)備。

　　不過兩家公司并沒有透露其STT-MRAM芯片產(chǎn)量規(guī)劃，以及何時開始商業(yè)化生產(chǎn)的計劃等。

　　目前已經(jīng)有多家半導(dǎo)體廠商在生產(chǎn)MRAM芯片產(chǎn)品，其中包括Everspin，Grandis，Crocus等。不過這次兩大存儲業(yè)界巨頭的聯(lián)手則令MRAM市場大有風(fēng)云突變之勢。目前市場上存儲密度最高的MRAM芯片其密度為16Mbit左右，相比之下，采用20nm級別制程制造的NAND芯片目前則已經(jīng)達(dá)到64Gbit的存儲密度水平，兩者的密度差距甚大。不過研發(fā)MRAM的廠商都公認(rèn)MRAM具備更好的存儲密度拓展空間和信息保存能力。

　　最近有報道稱東芝認(rèn)為其新近開發(fā)的垂直磁隧道結(jié)器件可作為制造Gbit密度級別ATT-MRAM的基本構(gòu)件，東芝認(rèn)為這種產(chǎn)品在3-4年內(nèi)可望實現(xiàn)商業(yè)化。Hynix與東芝表示雙方正在整合有關(guān)的資源和技術(shù)，以降低MRAM商業(yè)化的風(fēng)險，加快將產(chǎn)品推向商業(yè)化的步調(diào)。