第3季度DRAM展望

　　第2季DRAM報(bào)價(jià)下跌幅度相當(dāng)大，主要是日本311地震后，下游客戶擔(dān)心斷鏈危機(jī)擴(kuò)大，因此提前拉貨，但最后發(fā)現(xiàn)PC終端需求低于預(yù)期，導(dǎo)致整個(gè)第2季記憶體市場(chǎng)都處于消化庫(kù)存情況，且一直到第3季庫(kù)存水位仍是偏高，因此DRAM市場(chǎng)持續(xù)陷入供過于求情況。

　　另一個(gè)讓DRAM市場(chǎng)陷入供過于求的原因，是PC市場(chǎng)需求相當(dāng)疲弱，整個(gè)市場(chǎng)需求量低于預(yù)期，連平板電腦也是雷聲大雨點(diǎn)小，都成為DRAM市場(chǎng)殺手，第2季末DRAM現(xiàn)貨價(jià)已大幅下修，7月合約價(jià)也是一路修正。

　　展望第3季DRAM市場(chǎng)，市場(chǎng)認(rèn)為DRAM市場(chǎng)脫離供過于求的機(jī)率不大，一方面是PC需求不振，另一方面是DRAM大廠本身就積極驅(qū)動(dòng)制程微縮，即使整個(gè)產(chǎn)業(yè)沒有新建的晶圓廠產(chǎn)能，但產(chǎn)出仍是大增，加深DRAM市場(chǎng)供過于求的情況。

　　但以目前PC DRAM報(bào)價(jià)持續(xù)探底的情況，即使采用40納米或30納米制程來(lái)生產(chǎn)也未必能能獲利，因此國(guó)際DRAM廠如三星電子(Samsung Electronics)、爾必達(dá)(Elpida)等，都加速在2011年底轉(zhuǎn)進(jìn)20納米制程，以抵御價(jià)格如自由落體般的滑落。

　　過去DRAM價(jià)格只要暴跌，就會(huì)讓系統(tǒng)廠愿意提升PC中的記憶體模組搭載率，但2011年眼見2Gb DDR3已瀕臨變動(dòng)成本邊緣，但系統(tǒng)廠并未如過去般提升記憶體模組搭載量，也是讓DRAM市場(chǎng)持續(xù)陷入供過于求然無(wú)法抽身的原因。