爾必達(dá)發(fā)布上季度結(jié)算報(bào)告 公司繼續(xù)維持虧損經(jīng)營(yíng)

　　爾必達(dá)發(fā)布了2011財(cái)年第一季度(2011年4～6月)結(jié)算報(bào)告。受DRAM價(jià)格大幅下滑影響，該公司第一季度仍持續(xù)營(yíng)業(yè)虧損狀態(tài)。但爾必達(dá)指出，即便在困境中還是確保了其領(lǐng)先于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，并指出了其他競(jìng)爭(zhēng)公司將被甩在后邊的可能性。

　　結(jié)算報(bào)告顯示，銷售額為同比(YoY)減少45.7%、環(huán)比(QoQ)增加3.9%的957億日元。營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為虧損38億日元(上年同期為盈利444億日元，上季度為虧損52億日元)，純利潤(rùn)為虧損79億日元(上年同期為盈利307億日元，上季度為虧損82億日元)。銷售額減少的原因是，DRAM價(jià)格下滑超過了預(yù)期。東日本大地震導(dǎo)致的對(duì)DRAM采購(gòu)擔(dān)憂，曾造成面向大客戶及現(xiàn)貨的價(jià)格的一時(shí)性上漲，但之后采購(gòu)憂慮的解除和最終產(chǎn)品需求低迷，致使價(jià)格急劇下滑。據(jù)爾必達(dá)介紹，實(shí)際上，截至8月5日，2Gbit產(chǎn)品面向大客戶價(jià)格已降至1.59美元，現(xiàn)貨價(jià)格降至1.09美元。結(jié)果造成當(dāng)初預(yù)期的20～30%環(huán)比bit增長(zhǎng)率僅達(dá)為15%。關(guān)于今后的預(yù)測(cè)結(jié)果，第二季度(2011年7～9月)的環(huán)比bit增長(zhǎng)率為10%左右，全財(cái)年(2011年4月～2012年3月)的同比bit增長(zhǎng)率為40～50%。DRAM市場(chǎng)行情方面，最早將在9月、最遲將在11月觸底反彈。

　　結(jié)算報(bào)告稱，市場(chǎng)正由個(gè)人電腦(PC)用存儲(chǔ)器模塊轉(zhuǎn)向智能手機(jī)、平板終端及“UltraBook”等將DRAM直接安裝在印刷基板上的形態(tài)，擁有技術(shù)實(shí)力來應(yīng)對(duì)這種需求轉(zhuǎn)變的DRAM廠商將獲得市場(chǎng)份額，爾必達(dá)強(qiáng)調(diào)其比其他競(jìng)爭(zhēng)公司具有優(yōu)勢(shì)。具體為，作為可省空間大容量封裝技術(shù)，爾必達(dá)開發(fā)出了重疊有4塊DRAM芯片的PoP(package on package)、DDP(double density package)及TSV(through Silicon via)等多種封裝技術(shù)，而芯片方面，該公司已開發(fā)出3Xnm技術(shù)以及采用HKMG(高介電率柵極絕緣膜與金屬柵極電極的組合)的4Xnm技術(shù)，采用HKMG的25nm技術(shù)也將在2012年開發(fā)完畢，這些技術(shù)均為全球首創(chuàng)，而且領(lǐng)先于其他競(jìng)爭(zhēng)公司。據(jù)爾必達(dá)介紹，面向這些之后的20nm技術(shù)的實(shí)現(xiàn)也已經(jīng)有了眉目。但1Xnm技術(shù)還存在不確定因素，比如因每單元的蓄積電子數(shù)量減少至數(shù)萬個(gè)，需要放寬DRAM規(guī)格，還需要考慮采用EUV曝光技術(shù)等。