無線基礎設施被視為日益增長的砷化鎵集成電路市場

        根據市場戰(zhàn)略研究公司Strategy Analytics分析：全球無線網絡基礎設施中使用砷化鎵（GaAs）半導體的市場預計將增長，從2011年的大約2.05億美元達到2015年約為3.2億美元。

        隨著移動數據消費的持續(xù)猛增，運營商正在改進其無線基礎設施網絡架構，以支持日益增長的數據需求，根據Strategy Analytics公司（波士頓）報告。該公司的最新報告關于砷化鎵和復合半導體市場的預測，像多輸入/多輸出（MIMO）天線，異構網絡，遠程無線和小單元的發(fā)展將增加基地站部門的數量，但需要從每個部門減少發(fā)射功率。這兩個趨勢將為砷化鎵器件帶來始終如一的增長率，根據Strategy Analytics報告。

        在Strategy Analytics的戰(zhàn)略技術實踐董事，Asif Anwa在一份聲明中說：“4G技術，如LTE，正在迫使網絡演變到大量的低功耗的基礎設施部門，這將增加GaAs放大器的機會。”

        Strategy Analytics的報告預測，基站部門的出貨量將增加至略多于920萬到2015年。這些部門的一半以上將用于低功耗，小單元，據預測。

       “移動數據消費正在迅速推動無線基礎設施市場的一個轉折點，”Eric Higham，Strategy Analytics的GaAs和化合物半導體技術服務總監(jiān)，在一份聲明中說。“運營商實現的網絡依賴更小，功耗更低的電池足跡，確保消費者繼續(xù)歡迎數據應用。這種架構擴展砷化鎵元件的機會。”

        該報告還詳細介紹了天線，功率放大器，低噪聲放大器，收發(fā)器和前端組件的歷史和最新發(fā)展趨勢，Strategy Analytics表示。它還按功能和技術將無線基礎設施放大器市場分段，按照地理，頻率和輸出功率預測基站部門數量，根據公司報告。