無(wú)線手持產(chǎn)品過(guò)去的經(jīng)驗(yàn)法則

　　圖3是一個(gè)緊鄰高頻源的IC等效電路及其模型。該模型顯示了與放大器輸入端相連的傳導(dǎo)路線和近場(chǎng)路線。

　　根據(jù)天線原理，長(zhǎng)度小于載波頻率波長(zhǎng)¼的傳導(dǎo)線可構(gòu)成有效的天線。因此，當(dāng)載波頻率為2.4 Ghz時(shí)，31.25毫米 (1.2英寸)長(zhǎng)的PCB板上的線路就構(gòu)成有效天線。評(píng)估板上的外接元件(即電容，電阻)也對(duì)于RF頻率也形成了接收天線。

　　圖3. 等效電路的行為模型

　　注：

　　l TRACE PARASITIC：傳導(dǎo)線寄生參數(shù)

　　l PCB CARD：PCB板

　　l LOW FREQUENCY CONDUCTED INTERFERENCE：低頻傳導(dǎo)干擾

　　l NEAR FIELD INTERFERENCE：近場(chǎng)干擾

　　l PACKAGE：封裝

　　l BOND WIRE：鍵合線

　　現(xiàn)在我們已經(jīng)明白R(shí)F信號(hào)是如何耦合進(jìn)入低頻音頻電路的，接下來(lái)讓我們回顧以前在遠(yuǎn)場(chǎng)研究中所取得的成果。

　　一些論文討論了源自遠(yuǎn)場(chǎng)天線的傳導(dǎo)干擾及其通過(guò)運(yùn)算放大器對(duì)RF解調(diào)產(chǎn)生的影響[1,4-6]。同樣，在這些實(shí)驗(yàn)中，RF調(diào)制信號(hào)被直接導(dǎo)入放大器的輸入管腳。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示：

　　1. 通過(guò)增加輸入電阻和反饋電阻的阻值，可以增大串聯(lián)電阻和寄生電容，從而提高反相運(yùn)算放大器電路抗射頻干擾(RFI)的能力，RC(電阻和電容)構(gòu)成了一個(gè)低通濾波器，防止干擾信號(hào)到達(dá)音頻放大器的輸入端[5]。

　　2. 寄生電容Cin(反相和同相輸入之間形成的電容)和CRg (穿過(guò)Rg)可使反相運(yùn)算放大器電路的抗RFI能力比同相運(yùn)算放大器電路強(qiáng)[6]。

　　3. 由于RF信號(hào)引起的集電極電流的變化高于MOS管漏電流的變化，MOS管比雙極型晶體管不易受RF信號(hào)的影響。事實(shí)上，由于雙極型晶體管的非線性特性，場(chǎng)效應(yīng)管本身就比雙極型晶體管更不易受RFI的影響[4]。同時(shí)，大多數(shù)在音頻頻段工作的運(yùn)算放大器是采用大陣列高電壓CMOS工藝制造，與采用相近電壓的雙極工藝相比，其RF信號(hào)帶寬更窄。

　　以前的研究結(jié)果認(rèn)為，較高阻值的反饋電阻、使用RFI 電容以及采用本身線性特性更好的MOSFET輸入元件等，均可降低RFI。下面，我們?cè)诮鼒?chǎng)條件下對(duì)這些結(jié)論進(jìn)行評(píng)估。

　　圖4顯示了用于研究近場(chǎng)干擾的評(píng)估電路板和天線位置。有關(guān)如何利用大多數(shù)高頻模擬實(shí)驗(yàn)室都擁有的標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備搭建測(cè)試平臺(tái)的詳細(xì)介紹，請(qǐng)參考Intersil網(wǎng)站(http://www.intersil.com/data/an/AN1299.pdf)中的應(yīng)用說(shuō)明AN1299。測(cè)試平臺(tái)產(chǎn)生以1kHz調(diào)制信號(hào)調(diào)制的RF信號(hào)掃頻源，利用該1kHz調(diào)制信號(hào)可以跟蹤輸入RF源信號(hào)至音頻放大器輸出端的信號(hào)的輸出。