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力晶將繼續(xù)擴大NAND Flash產能

—— 力圖成為大中華地區(qū)各技術領域最完整之晶圓廠
作者: 時間:2011-11-17 來源:半導體制造 收藏

  在2012年起將會大幅降低標準型DRAM投片量,以最低的產能維持DRAM的技術發(fā)展,并于明年起全數(shù)轉入30nm 4Gb生產,而空出的產能將會以 FLASH填補,后續(xù)技術發(fā)展的重點也轉移到 2Xnm的制程微縮。放遠未來,仍會保留DRAM技術,待3D-IC以及TSV的技術成熟時,將會以記憶體為中心做芯片組的整合,力圖成為大中華地區(qū)各技術領域最完整之晶圓廠。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/125992.htm

  隨著正式宣布將產能逐步擴大至Flash產品上,加上原先代工如LCD Driver及非標準型DRAM產品,希望明年標準型DRAM的投片僅占總投片量的20%,力晶將成為代工與Flash為主要業(yè)務的公司,也算是宣告退出標準型DRAM市場,與國際大廠相比,臺灣DRAM產業(yè)由于制程轉進速度緩慢及過多比例放在標準型DRAM上,導致今年至今虧損達臺幣586億元,由于DRAM產業(yè)仍處于供過于求的狀況,加上國際大廠在第四季積極轉入30nm制程,集邦科技(TrendForce)預估明年上半年供過于求依然超過15%,故部份臺系DRAM廠早已展開轉型之路,除了前述力晶之外,南科也將逐步轉入利基型與服務器記憶體為主,華亞科在美光的服務器記憶體的訂單下,也希望將服務器記憶體比重拉到30-50%,華邦則是早已轉型成功,專攻行動式記憶體與NOR Flash為主要市場。

  放眼2012年,將是臺系DRAM廠轉型的關鍵年,只要能降低標準型記憶體的生產量,將有機會在嚴峻的市場中生存下來。



關鍵詞: 力晶 NAND

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