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英飛凌射頻大功率管技術(shù)交流會成功舉辦

作者: 時(shí)間:2011-12-07 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  2011年12與1日,全球知名的半導(dǎo)體企業(yè)英飛凌攜手其增值服務(wù)分銷商,在福建泉州聯(lián)袂舉辦“英飛凌技術(shù)交流會”,會議主要邀請了來自泉州及周邊城市微波領(lǐng)域的資深技術(shù)工程師、管理人員等前來參會。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/126724.htm

  

 

  圖:英飛凌技術(shù)交流會簽到處

  本次會議旨在向業(yè)內(nèi)客戶分享射頻領(lǐng)域最新的技術(shù)應(yīng)用與市場情況,同時(shí)趁此機(jī)會與現(xiàn)場的工程師們面對面交流技術(shù)設(shè)計(jì)中的種種疑問,并探討最佳的解決之道。會議首先由來自英飛凌的工程師介紹英飛凌LDMOS產(chǎn)品路線及封裝科技,對于現(xiàn)場工程師們比較關(guān)注的infineon LDMOS APD Doherty設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)分享則放在本次會議的重心環(huán)節(jié),詳細(xì)介紹了Infineon LDMOS供電pin腳的特殊之處,以及如何通過LDMOS型號功率來進(jìn)行功率分配,微帶計(jì)算,從而進(jìn)行Doherty功放設(shè)計(jì);同時(shí)針對目前技術(shù)發(fā)展需求,介紹了非對稱2路Doherty PA的設(shè)計(jì)方法,3路Doherty PA設(shè)計(jì)方法,并著重介紹了如何調(diào)試的問題;另外,還就Infineon小信號這一塊,如LNA做了相關(guān)介紹;主辦方還安排出充足的時(shí)間對現(xiàn)場提出的各種問題進(jìn)行了深度交流與溝通。

  

 

  圖為:英飛凌射頻技術(shù)交流會現(xiàn)場

  來自世強(qiáng)的資深FAE重點(diǎn)對幾款英飛凌LDMOS功放DEMO做了介紹,如針對單載波WCDMA設(shè)計(jì)的射頻方案,針對PICO 1W項(xiàng)目設(shè)計(jì)的方案,針對寬帶LDMOS設(shè)計(jì)的射頻方案等,這些demo方案,大多是由世強(qiáng)射頻實(shí)驗(yàn)室設(shè)計(jì)而成,根據(jù)不同客戶的需求做的一些方案設(shè)計(jì),在保證客戶性能的同時(shí),力求設(shè)計(jì)簡單,匹配容易,效率高,與預(yù)失真配合良好等特點(diǎn)?,F(xiàn)場還詳細(xì)介紹了Infineon LDMOS性價(jià)比非常高的幾款產(chǎn)品,尤其是針對大功率,如250W單管封裝,340W的LDMOS產(chǎn)品。針對這些產(chǎn)品與技術(shù)方案,可憑借強(qiáng)有力的FAE支持團(tuán)隊(duì),給予客戶更大力度的支持。


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