富士通和SuVolta展示低電壓工作的SRAM模塊

　　富士通半導體和SuVolta宣布，通過將SuVolta的PowerShrink低功耗CMOS與富士通半導體的低功耗工藝技術集成，已經成功地展示了在0.425V超低電壓下，SRAM(靜態(tài)隨機存儲)模塊可以正常運行。這些技術降低能耗，為即將出現的終極“生態(tài)”產品鋪平道路。技術細節(jié)和結果將會在12月5日開始在華盛頓召開的2011年國際電子器件會議(IEDM)上發(fā)表。

　　從移動電子產品到因特網共享服務器，以及網絡設備，控制功耗成為增加功能的主要限制。而供應電壓又是決定功耗的重要因素。之前，CMOS的電源電壓隨著器件尺寸減小而穩(wěn)定下降，在130nm技術結點已降至大約1.0V。但在那之后，技術結點已縮小到28nm，電源電壓卻沒有隨之進一步降低。電源供應電壓降低的最大障礙是嵌入的SRAM模塊最低工作電壓。

　　結合SuVolta的Deeply Depleted Channel (DDC)晶體管技術 – 該公司的PowerShrink平臺組件之一 – 與富士通半導體的尖端工藝，兩家公司已經證實通過將CMOS晶體管臨界電壓(VT)的波動降低一半，576Kb的SRAM可在0.4伏附近正常工作。該項技術與現有設施匹配良好，包括現有的芯片系統(SoC)設計布局，設計架構比如基體偏壓控制，以及制造工具。

　　背景

　　遵循微縮定律，在130nm技術結點CMOS電源供應電壓逐步降低到大約1.0V。但是，盡管工藝技術已經由 130nm繼續(xù)縮小到28nm，電源電壓卻還保持在1.0V左右的水平。由于動態(tài)功率與供應電壓的平方成正比，能耗已經成為CMOS技術的主要問題。電壓降低止步于130nm結點的原因是多處波動來源，包括隨機雜質擾動(RDF)。RDF是器件及工藝波動的一種形式，由注入雜質濃度或晶體管通道內摻雜原子 的擾動引起。RDF導致同一芯片上不同晶體管的臨界電壓(VT)出現偏差。

　　已見報道的兩種特殊結構可以成功減小RDF：ETSOI和Tri-Gate – FinFET技術的一種。但是，這兩種技術都非常復雜，使得他們很難與現有設計和制造設施匹配。

　　降低SRAM最低工作電壓

　　對于大多數芯片，降低供應電壓的限制來自于SRAM。如圖2所示，富士通半導體和SuVolta展示了在低至0.425V電壓下仍然能夠正常工作的SRAM模塊。由于SRAM是降低供應電壓最大的挑戰(zhàn)，該項成果意味著DDC將使得多種基于CMOS的電路在0.4V左右運作成為現實。

　　總結與未來計劃

　　DDC晶體管的工藝流程已經成功建立。所制造的DDC晶體管顯示VT波動比基準流程改善了50%，并且產出在0.425V電壓下仍能運作的SRAM，充分證明了DDC晶體管有能力將供應電壓降低到0.4V左右。

　　富士通半導體將發(fā)展這項技術并積極回應客戶在消費電子產品，移動設備及其他領域對于低功耗/低電壓運行的要求。