移動應(yīng)用驅(qū)動BSI加速發(fā)展

　　智能型手機、平板計算機等手持式裝置當?shù)?，且對于相機畫素規(guī)格要求愈來愈高，不但是畫素規(guī)格朝800萬邁進，預(yù)期2012年起1,200萬畫素CIS將成為主流趨勢，CIS技術(shù)紛紛導入背照式(Backside Illumination;BSI)制程，Omnivision在臺積電產(chǎn)能紛轉(zhuǎn)進BSI制程，Aptina也推出BSI制程CIS，美商應(yīng)材(Applied Materials)也推Producer Optiva化學氣相沉積系統(tǒng)針對BSI制程市場。

　　BSI為背光照度技術(shù)，使用的技術(shù)原理與傳統(tǒng)Frontside Illumination(FSI)不同。BSI技術(shù)是讓CMOS影像傳感器有更進一步的感亮度，在畫質(zhì)和色彩呈現(xiàn)上也更佳，有別于傳統(tǒng)FSI把彩色濾光膜(RGB)與微鏡頭(micro lens)鋪在金屬層上，且BSI的原理是把整個影像傳感器上下翻轉(zhuǎn)，并把彩色濾光膜和微鏡頭鋪在基板上，可克服傳統(tǒng)FSI原有削弱感亮度的問題。

　　市調(diào)機構(gòu)指出，2010年智能型手機會內(nèi)建BSI傳感器比重為14%，預(yù)計到2014年將有4分之3的智能型手機會內(nèi)建BSI傳感器。

　　目前許多晶圓廠正努力轉(zhuǎn)型至12吋晶圓，使每片晶圓生產(chǎn)雙倍數(shù)量的傳感器，以目前全球最大CIS供貨商Omnivision為例，在臺積電產(chǎn)能也紛紛轉(zhuǎn)進BSI制程下，Aptina也推出1.1微米背照式BSI制程CIS。

　　半導體設(shè)備廠方面，美商應(yīng)材在「Semicon Japan 2011」期間，也推出針對BSI影像傳感器市場的Applied Producer Optiva化學氣相沉積系統(tǒng)，內(nèi)建特殊功能可沉積低溫的共形薄膜，可提升傳感器的低光效能，進而提高良率且降低成本，主要應(yīng)用于智能型手機、平板計算機和高階相機;應(yīng)材內(nèi)部預(yù)估，2014年前全球BSI影像傳感器需求將高達3億個。

　　應(yīng)材指出，影像傳感器配備直接在光電二極管上的微透鏡，藉以提高每像素的集光能力，Producer Optiva系統(tǒng)在微透鏡上覆蓋一層堅固的透明薄膜，可減少反射現(xiàn)象與刮痕，保護鏡片不受環(huán)境破壞，且是能以低于攝氏200度的溫度達成大于95%共形沉積的系統(tǒng)。

　　此Producer Optiva化學氣相沉積系統(tǒng)也可針對3D芯片封裝，用來沉積硅穿孔(TSV)的共形絕緣膜。

　　CIS算是目前消費性電子產(chǎn)品中，最適合3D IC技術(shù)的應(yīng)用，因為硅穿孔(TSV)技術(shù)可實現(xiàn)3D IC異質(zhì)整合的架構(gòu)，符合產(chǎn)品尺寸愈來愈縮小化的需求。

　　目前有TSV技術(shù)的CIS業(yè)者包括三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)、臺積電、精材(Xintec)、豪威(OmniVision)、Aptina、意法半導體(STMicroelectronics)等，且都投入此技術(shù)已有多年。