Microsemi發(fā)布RF前端模塊突破性技術(shù)平臺(tái)

　　美高森美公司(Microsemi Corporation) 今天發(fā)布以硅鍺(SiGe)技術(shù)為基礎(chǔ)的4G RF前端模塊(FEM)突破性技術(shù)平臺(tái)。該公司已采用此創(chuàng)新平臺(tái)開發(fā)下一代IEEE 802.11ac無線網(wǎng)絡(luò)(WLAN)前端模塊。IEEE 802.11ac被業(yè)界視為第五代WiFi或5G WiFi。

　　Microsemi的新平臺(tái)在單一SiGe芯片上集成了多個(gè)濾波器、開關(guān)、LNA和功率放大器，能支持多重輸入/輸出(MIMO)功能。高度的集成性能顯著降低成本與減少印刷電路板面積，這是設(shè)計(jì)人員設(shè)計(jì)智能手機(jī)與平板電腦等產(chǎn)品時(shí)的重要考慮。

　　Microsemi產(chǎn)品工程總監(jiān)Darcy Poulin表示：“Microsemi已成功開發(fā)出業(yè)界首款基于硅鍺的單芯片前端模塊平臺(tái)，不但能符合4G應(yīng)用的嚴(yán)苛要求，還能顯著節(jié)省空間與成本。未來，我們將繼續(xù)開發(fā)創(chuàng)新解決方案，以推動(dòng)IEEE 802.11ac等新業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的進(jìn)展。”

　　根據(jù)調(diào)研公司ABI Research的報(bào)告，隨著802.11ac的興起并在2014年前成長(zhǎng)為主導(dǎo)的Wi-Fi協(xié)議，IEEE 802.11ac產(chǎn)品出貨量將于2013年大幅增長(zhǎng)。另一家產(chǎn)業(yè)研究機(jī)構(gòu)In-Stat也預(yù)測(cè)，到2015年，會(huì)有將近3.5億臺(tái)的路由器、客戶端裝置及隨附的調(diào)制解調(diào)器采用802.11ac技術(shù)，比2012年的1億臺(tái)顯著增加。

　　Microsemi資深副總裁Paul Pickle表示：“此平臺(tái)可達(dá)到的效能確實(shí)令人印象深刻，這是業(yè)界的一項(xiàng)重要成就。我們率先于業(yè)界開發(fā)出的數(shù)字調(diào)諧(tuning)功能，在與我們基帶合作伙伴的共同努力下，將能減少未來的開發(fā)時(shí)間與客制化工作。此外，此平臺(tái)的效能將有助于Microsemi推動(dòng)最新的IEEE 802.11ac無線網(wǎng)絡(luò)標(biāo)準(zhǔn)及下一代4G移動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)的創(chuàng)新。”

　　Microsemi的RF前端模塊包括兩個(gè)功能完備的2.5GHz IEEE 802.16功率放大器、兩個(gè)發(fā)送/接收開關(guān)、兩個(gè)LNA、兩個(gè)平衡至非平衡的巴倫轉(zhuǎn)換器 (balun)、諧波與噪聲整形濾波器，以及一個(gè)控制與調(diào)諧用的數(shù)字接口。以5x5.6mm的封裝尺寸,在輸出功率為24dBm時(shí)，它的性能達(dá)到苛刻的802.16mask與EVM要求。

　　Microsemi的下一代無線網(wǎng)絡(luò)雙頻FEM將會(huì)整合高線性度的802.11ac兼容2.4GHz與5GHz PA、2.4和5GHz的旁路(bypassable) LNA、開關(guān)、濾波器、雙工器、以及一個(gè)I2C數(shù)字接口，尺寸纖小，封裝僅有3x4mm QFN大小。