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飛兆半導(dǎo)體650V場(chǎng)截止IGBT

—— 提高功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的效率和系統(tǒng)可靠性
作者: 時(shí)間:2012-03-28 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  太陽(yáng)能功率逆變器、不間斷電源(UPS)以及焊接應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員面臨提高能效,滿(mǎn)足散熱法規(guī),同時(shí)減少元件數(shù)目的挑戰(zhàn)。有鑒于此,半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開(kāi)發(fā)了一系列針對(duì)應(yīng)用的650V 產(chǎn)品,幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對(duì)這一行業(yè)挑戰(zhàn)。

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/130776.htm

  半導(dǎo)體公司的場(chǎng)截止技術(shù)能夠讓設(shè)計(jì)人員開(kāi)發(fā)出具有更高輸入電壓的高可靠系統(tǒng)設(shè)計(jì),同時(shí)提供具有低導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗的最佳性能。另外,650V 具有大電流處理能力、正溫度系數(shù)、嚴(yán)格的參數(shù)分布,以及較寬的安全工作區(qū)等特點(diǎn)。

  更高的擊穿電壓改善了寒冷環(huán)境溫度下的可靠性,隨著溫度的降低,IGBT和FRD阻斷電壓亦會(huì)下降,因而650V IGBT特別適合較冷氣候之下工作的太陽(yáng)能。仔細(xì)選擇IGBT和續(xù)流二極管是獲得最高效率的必要條件,650V IGBT提供了快速和軟恢復(fù)特性,能夠降低功率耗散,并減小開(kāi)啟和關(guān)斷損耗。

  特性和優(yōu)勢(shì)

  •   具有更高的阻斷電壓能力,無(wú)需犧牲性能
  •   具有正溫度系數(shù),易于并聯(lián)工作,可實(shí)現(xiàn)不發(fā)熱的嵌板應(yīng)用,防止系統(tǒng)過(guò)載
  •   大電流容量,實(shí)現(xiàn)大功率DC/AC轉(zhuǎn)換
  •   最高結(jié)溫:TJ=175oC
  •   低飽和壓降:Ic=40A / 60A額定電流下,VCE(sat)= 1.9V(典型值)
  •   高開(kāi)關(guān)速度,可讓系統(tǒng)保持高效率
  •   低導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗
  •   寬安全工作區(qū) – 允許更高的功率耗散
  •   嚴(yán)格的參數(shù)分布
  •   滿(mǎn)足RoHS要求


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