飛兆半導體650V場截止IGBT

　　太陽能功率逆變器、不間斷電源(UPS)以及焊接應用的設計人員面臨提高能效，滿足散熱法規(guī)，同時減少元件數(shù)目的挑戰(zhàn)。有鑒于此，飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)了一系列針對光伏逆變器應用的650V IGBT產(chǎn)品，幫助設計人員應對這一行業(yè)挑戰(zhàn)。

　　飛兆半導體公司的場截止IGBT技術能夠讓設計人員開發(fā)出具有更高輸入電壓的高可靠系統(tǒng)設計，同時提供具有低導通損耗和開關損耗的最佳性能。另外，650V IGBT具有大電流處理能力、正溫度系數(shù)、嚴格的參數(shù)分布，以及較寬的安全工作區(qū)等特點。

　　更高的擊穿電壓改善了寒冷環(huán)境溫度下的可靠性，隨著溫度的降低，IGBT和FRD阻斷電壓亦會下降，因而650V IGBT特別適合較冷氣候之下工作的太陽能光伏逆變器。仔細選擇IGBT和續(xù)流二極管是獲得最高效率的必要條件，650V IGBT提供了快速和軟恢復特性，能夠降低功率耗散，并減小開啟和關斷損耗。

　　特性和優(yōu)勢

• 　　具有更高的阻斷電壓能力，無需犧牲性能
• 　　具有正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)工作，可實現(xiàn)不發(fā)熱的嵌板應用，防止系統(tǒng)過載
• 　　大電流容量，實現(xiàn)大功率DC/AC轉換
• 　　最高結溫：TJ=175oC
• 　　低飽和壓降：Ic=40A / 60A額定電流下，VCE(sat)= 1.9V(典型值)
• 　　高開關速度，可讓系統(tǒng)保持高效率
• 　　低導通損耗和開關損耗
• 　　寬安全工作區(qū) – 允許更高的功率耗散
• 　　嚴格的參數(shù)分布
• 　　滿足RoHS要求