新聞中心

EEPW首頁 > 手機(jī)與無線通信 > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > Vishay 新型雙高壓 Trench MOS

Vishay 新型雙高壓 Trench MOS

——
作者:電子產(chǎn)品世界 時(shí)間:2006-05-26 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏
            整流器在 30A、125℃ 時(shí)具有 0.70V 的業(yè)界低正向壓降(每腳)


可從以下網(wǎng)址下載 JPEG 圖像 (<500K):
http://www.vishaypr.com/photopost/showphoto.php?photo=258 
    賓夕法尼亞、MALVERN — 2006 年 5 月 19 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代碼:VSH)推出一款新型 Trench MOS 肖特基勢(shì)壘 (TMBS™) 整流器,其正向電壓是迄今為止此類器件中最低的。

    新型 V60100C 采用共陰極 30A X 2 配置,其額定電流及額定電壓分別為 60A 及 100V,該器件在 30A 及 125


評(píng)論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉